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国家自然科学基金(60676049)

作品数:6 被引量:60H指数:5
相关作者:亢宝位吴郁周文定胡冬青游雪兰更多>>
相关机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇IGBT
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极晶...
  • 3篇集电极
  • 3篇半导体
  • 3篇内透明集电极
  • 2篇芯片
  • 2篇晶闸管
  • 2篇半导体元器件
  • 2篇槽栅
  • 1篇性能比较
  • 1篇结终端
  • 1篇结终端技术
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率半导体
  • 1篇功率半导体器...
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅材料

机构

  • 6篇北京工业大学

作者

  • 6篇亢宝位
  • 4篇吴郁
  • 3篇胡冬青
  • 3篇周文定
  • 2篇张彦飞
  • 2篇游雪兰
  • 1篇贾云鹏
  • 1篇王浩
  • 1篇刘茵

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 2篇电子器件
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
不断发展中的IGBT技术概述被引量:21
2007年
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
周文定亢宝位
关键词:半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
内透明集电极IGBT的制造及理论模型
2010年
给出了一种600V内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的制造方法,它以传统穿透型IGBT(PT-IGBT)的工艺为基础,但在外延前先进行高剂量氦离子注入及退火,从而在器件集电区近集电结附近引入一个纳米空腔层。该纳米空腔层内载流子寿命很低,在物理上起电极作用,从而使器件集电区由非透明变为内透明。封装后,测试了器件性能,与电子辐照的PT-IGBT相比,ITC-IGBT的零温度点更低,关断时间和导通压降的折中更优,验证了内透明思想的正确性。同时,针对器件结构特点,通过求解输运方程和扩散方程,建立了ITC-IGBT的分析模型,并将实验样管结构参数代入模型,理论计算结果与实验结果符合较好,验证了模型的有效性。
刘茵胡冬青吴郁亢宝位
关键词:绝缘栅双极晶体管内透明集电极
内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较被引量:8
2009年
首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果。仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT。说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径。
游雪兰吴郁胡冬青贾云鹏张彦飞亢宝位
关键词:内透明集电极
硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展被引量:19
2009年
综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。
张彦飞吴郁游雪兰亢宝位
关键词:功率器件结终端击穿电压
一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量:6
2008年
对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
王浩胡冬青吴郁周文定亢宝位
关键词:内透明集电极NPT-IGBT
不断发展中的IGBT技术概述被引量:10
2009年
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
周文定亢宝位
关键词:半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
共1页<1>
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