国家自然科学基金(60676049)
- 作品数：6 被引量：60H指数：5
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 不断发展中的IGBT技术概述被引量：21
- 2007年
- 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
- 周文定亢宝位
- 关键词：半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
- 内透明集电极IGBT的制造及理论模型
- 2010年
- 给出了一种600V内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的制造方法,它以传统穿透型IGBT(PT-IGBT)的工艺为基础,但在外延前先进行高剂量氦离子注入及退火,从而在器件集电区近集电结附近引入一个纳米空腔层。该纳米空腔层内载流子寿命很低,在物理上起电极作用,从而使器件集电区由非透明变为内透明。封装后,测试了器件性能,与电子辐照的PT-IGBT相比,ITC-IGBT的零温度点更低,关断时间和导通压降的折中更优,验证了内透明思想的正确性。同时,针对器件结构特点,通过求解输运方程和扩散方程,建立了ITC-IGBT的分析模型,并将实验样管结构参数代入模型,理论计算结果与实验结果符合较好,验证了模型的有效性。
- 刘茵胡冬青吴郁亢宝位
- 关键词：绝缘栅双极晶体管内透明集电极
- 内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较被引量：8
- 2009年
- 首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果。仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT。说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径。
- 游雪兰吴郁胡冬青贾云鹏张彦飞亢宝位
- 关键词：内透明集电极
- 硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展被引量：19
- 2009年
- 综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。
- 张彦飞吴郁游雪兰亢宝位
- 关键词：功率器件结终端击穿电压
- 一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量：6
- 2008年
- 对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
- 王浩胡冬青吴郁周文定亢宝位
- 关键词：内透明集电极NPT-IGBT
- 不断发展中的IGBT技术概述被引量：10
- 2009年
- 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
- 周文定亢宝位
- 关键词：半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
