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国家自然科学基金(60676036)

作品数:6 被引量:7H指数:2
相关作者:孟宪权肖虎张霞何亮郑毅更多>>
相关机构:武汉大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 3篇透射电子显微...
  • 2篇退火
  • 2篇离子注入
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧化锌
  • 1篇样条函数
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇能级
  • 1篇能级计算
  • 1篇热法
  • 1篇子结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇冠状
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱研究
  • 1篇光致

机构

  • 5篇武汉大学

作者

  • 5篇孟宪权
  • 2篇张霞
  • 2篇肖虎
  • 1篇胡明
  • 1篇乔豪学
  • 1篇王栋
  • 1篇刘炜
  • 1篇何亮
  • 1篇朱振华
  • 1篇朱迪
  • 1篇郑毅

传媒

  • 4篇武汉大学学报...
  • 1篇大众科技
  • 1篇Wuhan ...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
水热法在不同衬底下制备纳米ZnO材料被引量:2
2009年
以氯化锌(ZnCl2)和25%浓度氨水(NH3.H2O)为原料,采用水热法制备了ZnO纳米材料.比较了ZnO纳米材料在铜和硅不同衬底上的区别和衬底垂直放置与底部水平放置时的区别,以及垂直放置时随垂直高度的不同产生的变化.借助于X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等测试手段,对其结构、形貌进行了分析研究.研究结果表明,相对于硅,铜衬底上更容易生长出取向一致、结晶良好的ZnO纳米棒结构.根据生长环境中气体的氛围和压力对垂直于衬底方向上生长的ZnO造成的影响,提出了水热法制备ZnO纳米材料的生长机理.
朱迪郑毅张霞孟宪权
关键词:氧化锌纳米材料水热法衬底
用B样条方法计算球冠状量子点内的电子结构被引量:1
2007年
在有效质量理论的框架内,使用B样条方法,分别计算得到了球冠状InAs自组织量子点的高度和底面半径对电子能级的影响关系,且与实验结果和其他理论方法计算的结果进行了比较.结果表明:当量子点高度增大时(从1 nm到10 nm),其能级降低,能级间距减小.与底面半径对电子能级的影响相比,量子点高度是影响电子能级的关键因素,尤其是对基态能级几乎有决定性作用.同时,计算过程及结果也证明B样条方法在计算球冠状量子点电子能级方面是行之有效的.
孟宪权刘炜王栋乔豪学
关键词:量子点能级计算B样条函数
离子注入制备Si基InAs量子点
2010年
利用离子注入法在Si(001)片上先后注入了In+和As+,注入剂量为1.5×1017cm-2,注入能量分别为210和150keV,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了材料的截面像。
朱振华孟宪权肖虎
关键词:量子点离子注入退火透射电子显微镜
离子注入法制备Si基量子点被引量:3
2008年
利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了In+和As-,注入能量分别为210,150keV,注入剂量分别为6.2×1016,8.6×1016cm-2,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料(为了避免沟道效应,注入角度选择为7°).用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大.
孟宪权何亮肖虎
关键词:量子点离子注入透射电子显微镜退火
InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究
2008年
采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.
孟宪权程定军胡明张霞
关键词:量子点光致发光透射电子显微镜
Photoluminescence of ZnO Nanorods Grown by Hydrothermal Method on Si Substrate被引量:1
2009年
ZnO nanorods were grown on Si substrate by hydrothermal method under various reaction time (12, 24, and 36 h), Zn^2+ concentrations (0.01, 0.02, and 0.05 mol/L) and reaction temperatures (70-95 ~C). Their photoluminescence (PL) tests were taken at room temperature. Nanorods grown under longer reaction times or higher temperatures can emit stronger UV light and depressed green light, suggesting better crystallization of ZnO nanorods. Higher Zn^2+ concentration results in stronger green band emitting, whereas the UV peak is depressed with the Zn^2+ concentration over 0.02 mol/L. This indicates that excessive interstitial Zn defects may be introduced into the nanorods in Zn-rich environment.
HU Ming,ZHANG Xia,MENG Xianquan School of Physics and Technology,Wuhan University,Wuhan 430072,Hubei,China
关键词:PHOTOLUMINESCENCE
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