国家自然科学基金(50290101)
- 作品数：9 被引量：151H指数：5
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- 相关机构：大连理工大学黄山学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 辅助侧向吹气法金刚石砂轮激光修锐试验与评价被引量：5
- 2008年
- 介绍了辅助侧向吹气法金属结合剂金刚石砂轮的激光修锐试验和简化测力评价方法，计算比较了修锐前后砂轮磨削力、磨削力比和比磨削能，从不同角度说明了辅助侧向吹气法对激光修锐金属结合剂金刚石砂轮的有效性。分析了修锐前后砂轮表面与对应磨削试件表面的微观形貌机理，解释了影响磨削力变化的因素。采用辅助侧向吹气法能够解决金属结合剂砂轮激光修锐中常见的熔化覆盖问题，使砂轮磨削力比同轴吹气法修锐下降5％～7％，激光修锐砂轮的磨削性能得到明显改善。
- 王续跃徐云飞徐文骥王连吉康仁科郭东明
- 关键词：激光修锐金刚石砂轮磨削力
- 大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状被引量：83
- 2003年
- 随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求 ,使已有的硅片加工技术面临严峻的挑战。本文详细分析了传统硅片加工工艺的局限性 ,介绍了几种大直径硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点 ,评述了国内外硅片超精密磨削技术与装备研究和应用的现状及发展方向 ,强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。
- 康仁科田业冰郭东明金洙吉
- 关键词：IC芯片硅片超精密磨削砂轮磨床
- 长脉宽脉冲激光硅片弯曲成形试验被引量：16
- 2007年
- 利用毫秒脉宽Nd:YAG激光对硅片进行了弯曲试验,给出了长脉宽脉冲激光弯曲硅片的能量阈值条件。研究了长脉宽Nd:YAG激光脉冲频率和脉冲宽度参数对硅片弯曲角度的影响,同时说明了脉冲频率和脉冲宽度参数对弯曲角度的影响可以转换成扫描速度和功率密度对弯曲角度的影响,并对试验结果进行了分析,引入了脉冲占空比来表征能量的时域分布对弯曲现象的影响。试验结果表明,采用毫秒量级脉冲激光可以对硅片进行弯曲加工,弯曲角度可达20°以上。
- 吴东江马广义周秋菊许卫星许媛王续跃赵福令
- 关键词：激光弯曲硅片脉冲频率脉冲宽度
- 化学机械抛光中的硅片夹持技术被引量：27
- 2004年
- 目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势。
- 孙禹辉康仁科郭东明金洙吉苏建修
- 关键词：化学机械抛光集成电路
- 金属管材激光弯曲成形的扫描路径规划被引量：7
- 2008年
- 基于几何曲率方法,针对AISI304L不锈钢金属直管的激光平面弯曲成形和三维空间弯曲成形进行了路径规划的研究。对平面内弯曲成形,根据目标管形的极值点和拐点将管材分段,取极值点作为路径规划的初始位置,对各分段采用不同的扫描间距以确定加热扫描路径。对三维空间弯曲成形,采用投影分解的方法,把三维成形曲面投影分解为两个二维曲面,分别获取扫描路径和工艺参数,然后组合与简化,获取三维弯曲成形的扫描路径。实验采用Nd∶YAG固体激光器,以平面内正弦曲面弯曲和空间螺旋管弯曲两种形式为例,作为目标形状进行扫描路径规划与实验验证,扫描弯曲结果证明了扫描路径规划方法的有效性。
- 王续跃陶春华许卫星徐云飞吴东江
- 关键词：激光技术激光弯曲路径规划金属管材
- 位错对薄硅片激光弯曲过程的影响被引量：4
- 2008年
- 基于开展的薄硅片长脉冲激光弯曲成形实验,针对弯曲样品表面产生的滑移线和堆垛层错缺陷,结合实验所用规格硅片弯曲角度不超过35°的现象,运用位错理论分析在弯曲过程中硅晶体产生位错、层错现象的原因以及位错对激光弯曲成形的影响。说明了滑移线主要是位错堆积产生滑移的表现形式,而堆垛层错是位错相互叠加产生的不全位错导致的结果;提出薄硅片弯曲成形受到位错浓度和位错移动速度变化的影响。
- 马广义吴东江牛方勇周秋菊王续跃郭东明
- 关键词：激光技术激光弯曲滑移线堆垛层错位错理论
- 脉冲激光弯曲成形技术中硅片表面的形貌分析被引量：14
- 2007年
- 对长脉宽脉冲激光弯曲后的硅片试件进行了表面形貌以及晶相等特性分析.结果表明,激光作用于硅片表面后形成了三种特殊区域,分别为边缘区域、过渡区域、主作用区域.其中过渡区域和主作用区域变化比较明显,分别出现了堆积层错现象和波纹状形貌.对主作用区域进行拉曼光谱检测,分析谱图没有发现典型的非晶硅转变,只是存在微弱的Si-Ⅰ→Si-Ⅲ转化.利用X射线定向仪检测原始和激光作用后表面的晶向,发现激光作用区域晶向变化较明显,存在晶体畸变和晶粒细化现象.
- 吴东江马广义曹先锁王续跃赵福令郭东明
- 关键词：激光技术表面形貌晶相
- 激光功率密度对Ge烧蚀蒸气动力学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响。结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大。照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早。在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×10^8～1.5×10^8W/cm^2之间。
- 吴东江许媛尹波王续跃
- 关键词：激光技术脉冲激光烧蚀
- 基于变质层的Al_2O_3陶瓷激光铣削试验研究被引量：4
- 2009年
- 介绍一种基于变质层控制的氧化铝陶瓷激光铣削方法．在无辅助气体条件下，激光扫描照射陶瓷表面，产生一变质层，对变质层的性质和尺寸进行控制，达到激光铣削Al2O3陶瓷材料的目的；同时，对变质层进行晶相组织分析，指导对激光铣削参数的选择。形成陶瓷材料的激光铣削工艺．试验研究了变质层的形成和脱落机理，分析了激光铣削工艺参数对铣削深度和铣削表面质量的影响规律．利用优化的铣削工艺对Al2O3陶瓷进行了激光多层铣削试验，得到各单层铣削深度为0．35～0．50mm、各层表面粗糙度为2．0～3．2μm的激光铣削效果．试验结果可为Al2O3陶瓷激光铣削提供理论依据与应用指导．
- 王续跃徐文骥雷明凯陈华王连吉郭东明
- 关键词：激光铣削AL2O3陶瓷变质层
