国家自然科学基金(60476027)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
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- 半绝缘GaAs倍频效应的研究
- 理论研究了 GaAs 的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形 GaAs 样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化...
- 刘秀环陈占国贾刚时宝
- 文献传递
- 立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光(英文)被引量：2
- 2006年
- 测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.
- 窦庆萍陈占国贾刚马海涛曹昆张铁臣
- 单晶硅材料电致双折射的研究被引量：3
- 2008年
- 首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.
- 张玉红陈占国贾刚时宝任策刘秀环武文卿
- 关键词：偏振态
- 半绝缘GaAs倍频效应的研究
- 2007年
- 理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的[001]方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收。
- 刘秀环陈占国贾刚时宝
- 关键词：半绝缘GAAS
- [111]方向电场诱导的硅的倍频效应
- 2007年
- 理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3V点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{110}面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方向的变化。设计了底面为(110)面的半球形硅样品,为从实验上研究[111]方向电场诱导的硅的倍频效应,提出了一种实验方案。
- 刘秀环陈占国贾刚
- 关键词：硅晶体
- [111]方向电场诱导的硅的倍频效应
- 理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与 C点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{1(?)0}面入射,从而研究硅的场致倍频...
- 刘秀环陈占国贾刚
- 关键词：硅晶体
- 文献传递
