国家自然科学基金(60676007)
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 相关作者：林殷茵吴雨欣赖云峰黄晓辉吴金刚更多>>
- 相关机构：复旦大学中芯国际集成电路制造有限公司上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 相变存储器多态存储方法被引量：4
- 2008年
- 提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.
- 刘欣周鹏林殷茵汤庭鳌赖云峰乔保卫冯洁蔡炳初BOMY CHEN
- 关键词：微电子技术相变存储器
- 新型阻变存储器内的电压解决方案
- 2011年
- 相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。
- 廖启宏吴雨欣林殷茵
- 关键词：电荷泵压控振荡器温度
- 一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案
- 2012年
- 针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻。利用这样特性的阻变单元作为错误检测位、冗余单元作为修复位,提出了三种不同的组织结构来实现修复操作。三种结构由于主存储器、检验位存储器及冗余存储器的组织方式不同,达到了不同的冗余存储器利用率。最后,通过数学分析可以证明,该方案在利用了较少冗余存储器的条件下,可以将阻变存储器的错误率普遍降低10～30倍,实现了较好的修复效果。
- 李萌陈刚林殷茵
- 2B2R结构下高可靠性多值存储方法被引量：1
- 2010年
- 设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存储方法,实现了四态多值存储.本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下,达到了1T1R四态多值存储单元的存储密度,并且改善了工艺波动对数据读出的影响,结合了占用面积小、存储密度大和可靠性高这3个优点,使得相变存储器在高密度,高可靠性的应用场合有着良好的前景.
- 徐乐解玉凤林殷茵
- 关键词：相变存储器
- 基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
- 2011年
- 采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
- 金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
