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国家自然科学基金(60476010)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：屈新萍茹国平郑宏兴王光伟李炳宗更多>>
相关机构：复旦大学天津工程师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇RU
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇铜互连
  • 1篇退火
  • 1篇热扩散
  • 1篇热退火
  • 1篇籽晶
  • 1篇阻挡层
  • 1篇扩散阻挡层
  • 1篇互连
  • 1篇TAN
  • 1篇钌
  • 1篇BARRIE...
  • 1篇LPCVD
  • 1篇AS
  • 1篇RUTHEN...
  • 1篇COPPER

机构

  • 2篇复旦大学
  • 1篇天津工程师范...

作者

  • 2篇茹国平
  • 2篇屈新萍
  • 1篇谭晶晶
  • 1篇李炳宗
  • 1篇王光伟
  • 1篇谢琦
  • 1篇郑宏兴
  • 1篇陈韬
  • 1篇周觅

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Copper Pulse Plating on Ru/TaSiN Barrier
The properties of pulse plated copper electrodeposits(1μm) on ruthenium(5nm)/TaSiN(5nm) diffusion barrier with...
Lei ZengSai-Sheng XuJing-jing TanLi-feng ZhangWei ZhangLi-Kang WangXin-ping Qu
关键词：RUTHENIUM
LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：4
2007年
采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
王光伟屈新萍茹国平郑宏兴李炳宗
关键词：LPCVD热扩散热退火
超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层
2006年
研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.
谭晶晶周觅陈韬谢琦茹国平屈新萍
关键词：钌铜互连扩散阻挡层
Tungsten carbides as a diffusion barrier for Cu metallization
Carbides of refractory metals have been used as diffusion barriers due to their high melting point and good th...
Qi XieYu-Long JiangC.DetavernierR.L.Van MeirhaegheXin-Ping Qu
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