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江西省教育厅科技计划项目(GJJ08065)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:陈抱雪袁一方浜中广见邹林儿矶守更多>>
相关机构:东京农工大学日本法政大学上海理工大学更多>>
发文基金:江西省教育厅科技计划项目江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇折变
  • 1篇光折变
  • 1篇光折变效应
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶态半导体
  • 1篇半导体

机构

  • 1篇南昌大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇日本法政大学
  • 1篇东京农工大学

作者

  • 1篇杜丽萍
  • 1篇矶守
  • 1篇邹林儿
  • 1篇浜中广见
  • 1篇袁一方
  • 1篇陈抱雪

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究被引量:2
2008年
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象·
邹林儿陈抱雪杜丽萍袁一方浜中广见矶守
关键词:非晶态半导体光折变效应
共1页<1>
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