国家重点基础研究发展计划(2002CB61340205)
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 相关作者：彭俊彪田仁玉曹镛阳仁强黄文波更多>>
- 相关机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 聚合物发光二极管中的负电容效应被引量：5
- 2008年
- 采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly[(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)](PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al的发光器件,交流阻抗谱中出现了负电容效应(negative capacitance),根据对其Cole-Cole图的分析,MEH-PPV/PF-NR2界面的交流响应可用一个RLL并联电路来模拟,实验结果表明,PF-NR2层既是电子传输层同时又充当了空穴阻挡层的作用,并给出了解释这种以PF-NR2/Al为阴极的器件效率提高的微观机理.
- 黄文波曾文进王藜彭俊彪
- 关键词：聚合物发光二极管交流阻抗谱
- CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究被引量：7
- 2007年
- 从聚合物/电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物PFO-SeBT(9,9-二辛基芴与4,7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑的无规共聚物)的发光二极管的性能进行了改进,通过采用CsF/Al阴极并优化CsF的厚度以及在PFO-SeBT1/阳极界面插入聚乙烯基咔唑(PVK)层,使器件的最大电致发光外量子效率达到1.79%,比采用低功函数的金属Ba/Al阴极器件的效率提高了两倍多.器件的性能得以改善的原因是CsF/Al阴极能有效提高电子注入能力以及PVK层对电子的阻挡作用.
- 田仁玉阳仁强彭俊彪曹镛
- 关键词：聚合物发光二极管电子注入
- 高效蓝紫光器件的实现:苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混被引量：2
- 2006年
- 以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层,制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管,研究了共混比例对器件性能的影响.发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优,在发光亮度为105cd/m2时,器件的外量子效率可以达到1.96%,电致发光光谱的峰值位于397nm,半高宽为67nm.分析表明,PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡,是使器件性能明显提升的主要原因.
- 田仁玉莫越奇彭俊彪
- 关键词：聚合物发光二极管共混
