国家部委预研基金(41308060106)
- 作品数：6 被引量：36H指数：4
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- AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展被引量：4
- 2003年
- AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖关系,以及两者内在矛盾等方面的研究现状,指出了该领域内仍需深入研究的问题,如面电子密度的温度特性、迁移率随合金层的变化关系以及迁移率随面电子密度的变化关系等.
- 张金凤郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率电荷控制
- AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析被引量：7
- 2005年
- 以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度.
- 王冲郝跃张进城
- 关键词：微波功率器件ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
- GaN基蓝色LED的研究进展被引量：15
- 2003年
- 介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望.
- 段猛郝跃
- 关键词：GAN蓝光LED氮化镓
- 纤锌矿型GaN电子迁移率的计算被引量：1
- 2005年
- 考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大.
- 杨燕郝跃
- 关键词：氮化镓
- 感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN被引量：2
- 2006年
- 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大.
- 王冲冯倩郝跃杨燕
- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀速率选择性刻蚀选择比刻蚀损伤
- GaN基微波半导体器件研究进展被引量：8
- 2004年
- GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势.
- 杨燕郝跃张进城李培咸
- 关键词：GAN调制掺杂场效应晶体管
