国家部委预研基金(41308060105)
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
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- 带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析
- 2007年
- 提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈值电压是引起高温条件下输出电流变化的主要因素,同时随着温度的升高,由于体内缺陷的存在导致体漏电流所占比例不断增大,逐渐成为Ids的重要组成部分。
- 韩茹杨银堂
- 关键词：碳化硅补偿电流源
- 具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计
- 2008年
- 设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器。根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积。Si MOS器件电源电压为5V,采用TSMC 0.25μm工艺制作。当温度从300K变化到600K时,SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300K的64dB降到-80dB,失去电路的稳定性。但是,由于Si CMOS器件沟道迁移率低,导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si运算放大器。
- 刘莉杨银堂柴常春
- 关键词：SICCMOS运算放大器零温度系数
- 掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构被引量：3
- 2007年
- 基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.
- 宋久旭杨银堂柴常春李跃进
- 关键词：掺氮电子结构第一性原理
- 高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计被引量：2
- 2010年
- 目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零温度系数点来稳定偏置电路。结果利用Hspice进行仿真,当温度从300K变化到600K时,SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300K的64dB降到600K的-80dB。由于SiC MOS器件沟道迁移率低导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP。结论此电路可以在高温下稳定工作,但是单管的性能较Si单管差。
- 刘莉杨银堂
- 关键词：6H-SICCMOSOPAMP零温度系数温度稳定性
- SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真
- 2010年
- 为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.
- 杨银堂刘莉
- 关键词：SICCMOSOPAMPHSPICE仿真
