国家部委预研基金(41308060108)
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
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- 发文基金：国家部委预研基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
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- SiGe HBT传输电流模型研究被引量：2
- 2006年
- 基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜崔晓英王青姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管PSPICE软件
- SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响
- 2006年
- 采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能。得到最大电流增益β可达150和特征频率fT可达15 GHz的pnp SiGe HBT,可以广泛地应用到通信、微波和射频领域。
- 李立戴显英朱永刚胡辉勇
- 关键词：SIGEPNPHBT
- SiGe HBT大信号等效电路模型被引量：8
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.
- 胡辉勇张鹤鸣吕懿戴显英侯慧区健锋王伟王喜嫒
- 关键词：SIGEHBT等效电路模型PSPICE
- SiGe HBT发射极延迟时间模型
- 2005年
- 在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGeHBT发射极延迟时间的影响.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英朱永刚王顺祥王伟崔晓英王青王喜媛
- 关键词：SIGEHBT势垒电容
- UV/UHV/CVD生长应变Si_(1-x)Ge_x层(英文)
- 2005年
- 应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好,二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex/Si材料界面陡峭,说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-x Gex/Si材料.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英李开成王伟朱永刚王顺祥崔晓英王喜媛
- 关键词：SI1-XGEX超高真空化学气相淀积
