安徽省自然科学基金(11040606M63)
- 作品数：11 被引量：15H指数：2
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- 相关机构：合肥工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 硅基底的CVD扩磷工艺研究
- 2014年
- 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。
- 杨旭何晓雄胡冰冰马志敏
- 关键词：硅基底表面形貌化学气相沉积VAPOUR
- 衬底对直流磁控溅射制备TiO_2薄膜结构和形貌的影响被引量：2
- 2012年
- 在气压为1Pa和2Pa的情况下,文章采用直流磁控溅射法分别在Si(100)、Al2O3陶瓷、普通载玻片3种衬底上生长TiO2薄膜;利用原子力显微镜对TiO2薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。并研究表明,在Si(100)衬底上生长的TiO2薄膜,气压为2Pa时比1Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压下,Si(100)衬底上得到的TiO2薄膜质量明显优于Al2O3陶瓷和普通载玻片衬底上的。
- 徐开松何晓雄潘训刚
- 关键词：TIO2薄膜磁控溅射表面形貌
- 基于TCAD的门极换流晶闸管的研究
- 2013年
- 文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研究成果对GCT器件的设计和制造具有重要的参考价值。
- 苏陶刘玉欣何晓雄
- 关键词：透明阳极通态特性电力半导体器件
- 奥氏体不锈钢上功能梯度SiC薄膜的制备和性能被引量：4
- 2012年
- 用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti/TiN双层膜以及Ti/TiN/SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征;用AFM和SEM对薄膜的表面和截面形貌进行了表征。结果表明:Ti/TiN双层膜在氩氮流量比为15∶15时,薄膜的结晶质量最好,硬度最高,达到15.6 GPa,最适合作为钢基SiC薄膜的缓冲层。另外,功能梯度SiC薄膜比SiC单层膜的结晶质量好;不同退火温度下功能梯度SiC薄膜的硬度高于SiC单层膜,同时功能梯度SiC薄膜的表面结晶质量也优于SiC单层膜。
- 李合琴都智储汉奇聂竹华
- 关键词：SIC薄膜奥氏体不锈钢显微硬度计
- 硅基SiC薄膜的制备及性能研究被引量：1
- 2015年
- 文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。
- 胡冰冰何晓雄许世峰孙飞翔
- 关键词：SIC薄膜电子束物理气相沉积表面形貌X射线衍射
- 一种CFP 40G/100G光模块物理层的测试方法被引量：1
- 2015年
- 针对CFP 40G/100G光模块物理层测试需要,文章介绍了一种基于IEEE 802.3BA协议的测试方案。该测试方案利用泰克BertScope示波器测试平台,制作CFP测试夹具把CFP 40G/100G光模块高速电信号引出来,实现了对CFP 40G/100G光模块接收端和发送端物理层电信号的测试。通过对Finisar公司的CFP 40G和CFP 100G光模块发送端有源眼图、光模块接收端眼图及接收端芯片抖动的测试,验证了该测试方案的可行性。
- 景红星何晓雄
- 关键词：IEEE眼图
- PLD法制备NiO薄膜及结构和形貌的研究
- 2013年
- 利用脉冲激光沉积法(PLD)在Si衬底上制备NiO薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对所制备薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征分析,研究衬底温度和脉冲激光能量对NiO薄膜结构和形貌的影响,得到生长质量较高、择优取向的多晶NiO薄膜的一种最佳制备条件。制备了p-NiO/n-Si异质结器件,I-V特性测试表明,器件具有良好的整流特性。
- 汪礼柱梁金何晓雄梁齐
- 关键词：形貌
- LPCVD制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析被引量：1
- 2012年
- 文章利用低压化学气相沉积法(LPCVD),在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响,并利用XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结晶性能的影响。结果表明:镀膜温度越高、薄膜越厚,薄膜的晶粒尺寸越大;退火温度越高,薄膜的结晶越好。
- 胡佳宝何晓雄杨旭
- 关键词：多晶硅薄膜表面形貌X射线衍射
- SiO_2/TiO_2减反膜系的制备和性能测试被引量：4
- 2012年
- 由于减反射薄膜的性能受制备工艺的影响很大,文章采用SiO2和TiO2作为低、高折射率膜料,采用磁控溅射法在玻璃基片上制备了多层减反射膜系,研究了制备工艺对薄膜性能的影响,从理论和实验2个方面得出了制备的多层减反射膜系在450～625nm波段具有明显的增透效果,在520nm处有98%的透过率。
- 王曦雯何晓雄胡佳宝
- 关键词：磁控溅射
- EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究被引量：2
- 2012年
- 文章采用电子束蒸发物理气相沉积(EB-PVD)技术在单晶Si片上制备SiC薄膜,通过台阶仪(surfaceprofiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低;退火温度越高,薄膜结晶质量越好;对SiC薄膜进行辐照的光频率越高,光电流越大。
- 潘训刚何晓雄胡冰冰马志敏
- 关键词：SIC薄膜原子力显微镜扫描电子显微镜X射线衍射
