高等学校科技创新工程重大项目(076044)
- 作品数：2 被引量：21H指数：2
- 相关作者：周益春唐明华潘伟钟向丽谭丛兵更多>>
- 相关机构：湘潭大学清华大学更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 铁电薄膜场效应晶体管存储器件的失效机制及器件力学
- 基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisa-ch模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构...
- 周益春杨锋孙静张军
- 关键词：铁电薄膜铁电存储器
- 文献传递
- 铁电薄膜及铁电存储器的研究进展被引量：14
- 2009年
- 铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向。
- 周益春唐明华
- 关键词：铁电薄膜掺杂改性
- Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响被引量：8
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12(Bi4-xNdxTi3O12,x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd3+只取代类钙钛矿层中的A位Bi3+.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV.cm-1的电场下为32.7μC.cm-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd3+开始进入(Bi2O2)2+层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi2O2)2+层的结构,材料发生铁电-顺电相变.
- 谭丛兵钟向丽王金斌廖敏周益春潘伟
- 关键词：ND掺杂BI4TI3O12拉曼频移铁电性能
