国家教育部博士点基金(20030358054)
- 作品数：5 被引量：27H指数：3
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- 衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响被引量：11
- 2006年
- 在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜．ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征．同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性．实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射．在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni)．
- 孙柏邹崇文刘忠良徐彭寿张国斌
- 关键词：ZNO脉冲激光淀积光致发光
- β-SiC(001)-(2×1)表面结构的第一性原理研究被引量：10
- 2005年
- 利用缀加平面波加局域轨道(APW+LO)的第一性原理方法计算了β_SiC(001)_(2×1)表面的原子及电子结构.原子结构的计算结果表明,与Si(001)_(2×1)表面的非对称性Si二聚体模型不同,β_SiC(001)_(2×1)表面为对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长也较大,为0.269nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此β_SiC(001)_(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,其中的两个占有表面态带已由价带的同步辐射光电子能谱实验得到证实.
- 徐彭寿李拥华潘海斌
- 关键词：原子结构电子结构
- ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究被引量：3
- 2006年
- 利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法,对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究,从计算的缺陷形成能来看,缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较,我们认为:ZnO中H导致的缺陷态可以占据BC∥和ABo∥两种局域结构位置.
- 武煜宇邹崇文徐彭寿
- 关键词：ZNO
- PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究被引量：3
- 2006年
- 在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积(PLD)方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射(XRD)和广延X射线吸收精细结构(EXAFS)来表征,而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光(PL)来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示,300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态,而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到:随着ZnO薄膜的结晶性变好,它的紫外发光增强;另一方面,随着ZnO薄膜中O的含量减少,绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位(Vo)有关。
- 孙柏邹崇文刘忠良徐彭寿张国斌韦世强
- 关键词：脉冲激光淀积X射线光电子能谱光致发光
- 碳化硅表面锌的吸附及其热氧化的同步辐射光电子能谱研究
- 2006年
- 利用同步辐射光电子能谱(Synchrotronradiationphotoelectronspectroscopy,SRPES)和X射线光电子能谱(X-rayphotoelectronspectroscopy,XPS)技术,研究了金属Zn在6H-SiC表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC的界面形成过程。研究结果表明,在SiC表面沉积金属Zn的初始阶段,Zn可以夺取SiC衬底表面残留的氧并与之成键。随着Zn覆盖度的增加,表面具有金属特性。在2.0×10-4Pa的氧气氛中180℃温度退火下,覆盖的Zn会被部分氧化形成ZnO,还有部分Zn因其在真空中的低蒸发温度而逸出表面。在同样的氧气氛中600℃温度退火后,覆盖的金属Zn全部被氧化而生成ZnO。在氧气氛中退火时,衬底也会轻度氧化,从而导致在ZnO/SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层。根据得到的光电子能谱的实验结果,计算出ZnO/SiC异质结的价带偏移为1.1eV。
- 徐彭寿孙柏邹崇文武煜宇潘海斌徐法强
- 关键词：锌热氧化光电子能谱
