安徽省自然科学基金(11040606M52)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：杨友文朱文斌陈东马东明李天应更多>>
- 相关机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划安徽省高校省级科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- InSb纳米线阵列的可控制备与光谱表征被引量：2
- 2014年
- 采用脉冲电沉积结合阳极氧化铝模板技术制备了不同生长方向的闪锌矿型InSb纳米线阵列.结果表明,控制电解液中十二烷基硫酸钠(SDS)的浓度,可使纳米线的择优生长方向从[400]向[220]方向转变.利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对所制备纳米线的相组成和微结构进行了表征.激光拉曼光谱结果表明,不同生长方向的InSb纳米线阵列的拉曼光谱有明显差异.与体材料相比,InSb纳米线阵列的红外吸收声子散射峰发生强烈红移,其吸收带边发生了明显蓝移.
- 杨友文朱文斌李天应马东明陈东
- 关键词：锑化铟纳米线拉曼光谱红外吸收光谱
- 脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列被引量：1
- 2011年
- 采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600。实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm。超晶格纳米线生长过程的研究表明:温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中,Sb的沉积速率要大于InSb的沉积速率。
- 杨友文陈延彪吴玉程解挺刘飞
- 关键词：脉冲电沉积
