全球变化研究国家重大科学研究计划(2006CB932202)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 相关作者：陈坤基余林蔚黄信凡丁宏林李伟更多>>
- 相关机构：南京大学紫琅职业技术学院更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟
- 2008年
- 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.
- 刘奎丁宏林张贤高余林蔚黄信凡陈坤基
- 关键词：量子效应薛定谔方程泊松方程
- 控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
- 2008年
- 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
- 丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
- 关键词：二氧化硅纳米硅
- 纳米硅单电子存储器研究进展
- 2011年
- 纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原理、研究现状及发展趋势。
- 丁宏林岳云峰顾拥军陈坤基
- 关键词：单电子存储器纳米硅
- 氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能被引量：1
- 2007年
- 为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1～2×10^(11)eV^(-1) cm^(-2)。
- 宋捷王久敏余林蔚黄信凡李伟陈坤基
- 关键词：X射线光电子谱界面态密度
