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圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响被引量：3: 2013年; 通过金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在2.5 m×1.6 m×0.5 m圆锥形图形化蓝宝石衬底(CPSS)和没有图形化平面蓝宝石衬底(USS)上生长GaN外延膜.高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测试结果表明,生长在CPSS上GaN的刃位错的密度比生长在USS上GaN的刃位错密度低得多;从透射电子显微镜(TEM)观察,CPSS可有效地减小GaN外延膜中的线位错密度;拉曼散射谱显示通过CPSS可有效地减小GaN外延膜中的残余应力;比较两种外延膜中的光致发光谱(PL),能从生长在CPSS上GaN外延膜中观察到强而尖的带边发射.以上结果表明:生长在CPSS上GaN外延膜的质量高于生长在USS上GaN外延膜的质量.; 王焕友李亚兰谢光奇李明君; 关键词：氮化镓应力应变

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湖南省教育厅科研基金(10C1235)