广东省科技攻关计划(2006A10802001)
- 作品数：15 被引量：184H指数：8
- 相关作者：范广涵丁少锋章勇陈琨邢海英更多>>
- 相关机构：华南师范大学中国科学院西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技攻关计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 氮化铟p型掺杂的第一性原理研究被引量：22
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
- 丁少锋范广涵李述体肖冰
- 关键词：氮化铟P型掺杂电子结构第一性原理
- N掺杂p-型ZnO的第一性原理计算被引量：40
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO和N掺杂p-型ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂p-型ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子和N2分子对p-型掺杂ZnO的影响.
- 陈琨范广涵章勇丁少锋
- 关键词：密度泛函理论第一性原理
- GaN基LED溢出电流的模拟
- 2009年
- 通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
- 李军范广涵刘颂豪姚光锐杨昊胡胜蓝
- 关键词：多量子阱极化效应
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量：20
- 2007年
- 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
- 张丽敏范广涵丁少锋
- 关键词：ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
- 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN被引量：29
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.
- 邢海英范广涵章勇赵德刚
- 关键词：电子结构光学性质
- InN材料及器件的最新研究进展被引量：2
- 2007年
- InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
- 丁少锋范广涵李述体郑树文陈琨
- 关键词：INN
- 电极耦合层对GaN基蓝光LED出光特性的影响
- 2007年
- 光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率。应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%。
- 郑品棋范广涵李述体孙惠卿郑树文邢海英
- 关键词：光电子学
- Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究被引量：18
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.
- 邢海英范广涵赵德刚何苗章勇周天明
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- 氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响被引量：3
- 2007年
- 采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响.合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜.研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式,促使GaN三维生长所导致的.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿郑树文
- 关键词：半导体GANMOCVD光致发光
