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Synthesis of Crystalline Carbon Nitride Thin Films by Pulsed Arc Discharge at Atmospheric Pressure: 2007年; The preparation of crystalline C3N4 films was investigated using pulsed arc discharge from mixed methanol and ammonia water at atmospheric pressure. The X-ray diffraction （XRD） patterns of the films prepared at a substrate temperature of 450℃ suggested that the film was composed of α-C3N4 and fl-C3N4 crystallites. Raman spectra exhibited distinct peaks which are in good agreement with those predicted theoretically for C3N4 crystallites.; 施昌勇马志斌

常压微波等离子射流脱碳处理有机工业废气被引量：2: 2008年; 在自行设计的常压微波等离子体射流装置上进行了丙酮模拟有机工业废气的脱碳实验,得到了纳米碳粉.利用Raman光谱、XRD、SEM、TEM和EDAX对制得的碳粉的结构和形貌进行了分析.体积分数62.5%的有机废气在等离子体射流的作用下得到的固态碳粉以微晶石墨结构为主,含有少量的微晶金刚石结构.TEM分析表明石墨晶体为颗粒状和层状结构.该技术可用于有机废气的脱碳处理和纳米碳粉的回收利用.; 何艾华吴利峰汪建华马志斌; 关键词：有机废气等离子体射流常压纳米碳粉

高氮含量氮化碳微粉的制备被引量：4: 2006年; 利用常压脉冲电弧等离子体在氮气氛下裂解二氰二胺有机晶体制备含C-N键的碳氮前驱物,然后将该前驱物置于微波氮等离子体中处理,研究了具有高氮含量氮化碳微粉的合成。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)分析了样品的形貌、成分和结构。研究结果表明:在电弧等离子体的作用下二氰二胺分子发生断键,得到碳氮直接相连的分子碎片吸附在微晶二氰二胺上。样品经脉冲电弧等离子体多次处理,其中的二氰二胺有机晶体结构被破坏,主要产物为含sp3C-N单键的非晶态碳氮化合物。非晶态的碳氮化合物在微波氮等离子体的作用下重组结晶,XPS分析表明样品表面主要由非晶碳和含有大量sp3C-N单键的高氮含量的碳氮结构组成,XRD分析表明碳氮微粉中有β-C3N4晶体相的存在。; 万军马志斌曹宏汪建华; 关键词：氮化碳微波等离子体

脉冲电弧等离子体处理含对硝基苯酚废水被引量：4: 2006年; 利用大气压下脉冲电弧等离子体对含对硝基苯酚的有机废水进行处理,研究放电条件对废水处理效果的影响.结果表明,提高放电电压和降低放电回路电感有助于废水化学需氧量(COD)的降低;其降低机理在于废水经电弧等离子体处理后降解为有机小分子,最终降解为固态碳粉、CO2和H2O等无机小分子.; 毛家龙马志斌; 关键词：对硝基苯酚化学需氧量(COD)

溅射辅助微波等离子体化学气相沉积SiCN晶体被引量：1: 2010年; 在微波等离子体化学气相沉积系统中,利用脉冲氮离子束溅射二氰二氨靶产生的碳氮粒子作为合成前驱物,在石英玻璃基片上研究了SiCN晶体的合成。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)研究了基片温度对薄膜的形貌、成分和结构的影响。结果表明:随着基片温度的降低,沉积物由截面为六方形的结晶良好的SiCN晶体(800℃)变成发育不完全的聚片状晶体(700℃),直到变成颗粒细小的无定形碳氮薄膜(550℃)。衍射峰的强度以及晶胞参数a和c的值随温度的降低而减小。薄膜为C原子部分取代Si3N4中的Si原子位置而形成的SiCN晶体,其中N原子主要与Si原子结合,C原子以sp3C—N、sp2CN和sp2CC键的形式存在。降低基片温度有利于提高薄膜中的C含量和sp3C—N键的含量。; 万军马志斌曹宏吴振辉汪建华; 关键词：微波等离子体溅射

氮化碳晶体的研究进展被引量：7: 2006年; 介绍了氮化碳晶体的合成与表征研究进展,分析了氮化碳晶体合成中存在的主要困难。分析表明:现有的研究结果还没有给出氮化碳晶体合成的确信证据。高温高压法的主要困难在于反应前驱体的选择与制备以及在高压过程中对热力学参数进行有效地控制;等离子体化学气相沉积中,基体原子,主要是硅原子对氮化碳晶体的合成有很大的影响,但目前缺少这方面的系统研究。反应溅射合成时需要解决的困难是在保持较低基片温度的同时如何提高反应气氛中的N原子含量,寻求高比例的sp3C─N单键的合成条件。电化学方法利用了前驱体中的碳氮单键,能够有效地降低反应能垒和沉积温度,需要解决的问题是如何促进合成产物的晶化和减少副产物。综合运用多种合成技术如在较低的基片温度下,在氮等离子体中通过溅射含有碳氮单键的有机前驱体而引入大量的碳氮单键,控制硅原子在氮化碳晶体生长中的影响程度将是今后氮化碳晶体合成研究的有效途径。; 马志斌; 关键词：氮化碳

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湖北省自然科学基金(2005ABA023)