教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-10-0526)
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 相关作者：孙洵许心光刘宝安徐明霞纪少华更多>>
- 相关机构：山东大学山东科学院成都精密光学工程研究中心更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 第一性原理研究KDP晶体中Ba取代K点缺陷被引量：2
- 2011年
- 用基于第一性原理的CASTEP模拟了Ba替代K缺陷前后形成的电子结构和能态密度。发现晶体能带宽度降至6.4 eV左右,对应着380 nm的双光子吸收,这一结果可以解释掺Ba晶体在紫外波段的吸收现象。Ba替代K点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变,对晶体整体结构影响不大。
- 高慧孙洵刘宝安纪少华徐明霞许心光赵显
- 关键词：BA点缺陷光损伤
- Cr^(3+)掺杂对快速生长KDP晶体的生长习性和光学性能的影响被引量：7
- 2011年
- 采用快速法生长了掺杂不同Cr3+浓度的KDP晶体,测试了KDP晶体(100)面在不同Cr3+掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr3+掺杂的KDP晶体的Cr3+元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值.实验表明Cr3+易吸附在晶体(100)面,从而增大了(100)生长死区,并降低了(100)面生长速度.Cr3+使快速生长的晶体产生柱、锥面生长区分界线.元素分析表明Cr3+更容易通过柱面生长进入晶体,从而导致晶体在可见光波段及紫外波段透过率的降低,最明显的是在220、450和650 nm三处吸收峰的出现.Cr3+进入晶体后使晶体中散射颗粒增多,基频和三倍频脉冲激光照射下晶体的损伤阈值随Cr3+掺杂浓度的增加而降低,且柱面区的损伤阈值要低于锥面区的损伤阈值.
- 丁建旭刘冰王圣来牟晓明顾庆天许心光孙洵孙云刘文洁刘光霞朱胜军
- 关键词：KDP晶体生长习性光学性能掺杂
- 不同温度生长DKDP晶体的性质被引量：2
- 2014年
- 用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60%DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光谱并无明显变化,但是随着生长温度的降低,晶体的结构完整性变差,1053nm激光损伤阈值降低。
- 程秀凤徐明霞刘宝安张清华张剑锋王正平孙洵许心光
- 关键词：DKDP晶体温度摇摆曲线激光损伤阈值
- 四倍频磷酸二氘钾晶体被引量：2
- 2012年
- 生长了不同氘含量的磷酸二氘钾(DKDP)晶体,切割角度统一沿Ⅰ类非临界相位匹配方向,即与晶体z轴成90°与x轴成45°,分别在1 064nm和1 053nm两种基频波长下进行了四倍频实验,通过测定氘含量与相位匹配角的联系,确定出能够实现非临界四倍频的DKDP晶体的最佳氘含量。实验发现在1 064nm的基频波长下通过调节DKDP晶体的氘含量无法实现室温的非临界相位匹配,而在1 053nm基频波长下实现室温的非临界相位匹配的DKDP晶体最佳氘含量为85%左右。
- 纪少华张少军徐明霞刘宝安朱丽丽张立松许心光王正平孙洵
- 关键词：磷酸二氘钾四倍频非临界相位匹配
