博士科研启动基金(EA200601184)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：南昌航空大学北京师范大学江西贝思特科技有限公司更多>>
- 发文基金：江西省材料科学与工程研究中心基金博士科研启动基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
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- 硅基ZnO薄膜组织形貌的研究
- 2007年
- 本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。
- 蔡莉熊波王应民李禾
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜ESEMXRD
- PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究被引量：2
- 2007年
- 使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致。再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降。
- 王应民杜楠蔡莉李禾程国安
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜等离子增强化学气相沉积反射光谱
