重庆市教委科研基金(KJ050812)
- 作品数：4 被引量：25H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响被引量：9
- 2008年
- 利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。
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- 关键词：P型ZNO退火透射谱
- p型ZnO薄膜的制备及特性被引量：13
- 2007年
- 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5Ω.cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.
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- 关键词：离子注入P型ZNO薄膜退火射频磁控溅射
- ZnO薄膜V族掺杂的研究进展被引量：5
- 2006年
- ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
- 朱仁江孔春阳马勇王万录廖克俊
- 关键词：氧化锌P型掺杂共掺杂
- 离子注入法制备N掺杂P型ZnO薄膜
- 2008年
- 采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm^(-3),电阻率为41.5Ω·cm。
- 朱仁江孔春阳秦国平王楠戴特力方亮
- 关键词：氧化锌薄膜P型离子注入
