黑龙江省教育厅科学技术研究项目(11511382)
- 作品数：9 被引量：27H指数：4
- 相关作者：刘洪丽钟文武高晶吴明忠田春英更多>>
- 相关机构：佳木斯大学中国科学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省普通高等学校青年学术骨干支持计划黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 以PVB为造孔剂采用聚硅氧烷制备泡沫陶瓷
- 采用陶瓷先驱体聚硅氧烷(PSO)为原料,用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为造孔剂制备 SiOC 泡沫陶瓷。通过对 PVB 及 PSO 进行热分析制定温度曲线。研究了裂解温度、造孔剂含量对泡沫陶瓷抗压强度及孔隙率的影响,采用 X...
- 刘洪丽田春英李洪波
- 关键词：泡沫陶瓷聚硅氧烷聚乙烯醇缩丁醛抗压强度
- 裂解温度对聚硅氧烷制备SiOC泡沫陶瓷性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用陶瓷先驱体聚硅氧烷为原料,利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiOC泡沫陶瓷.研究了聚硅氧烷的裂解温度对泡沫陶瓷抗压强度的影响,采用XRD,SEM及EDS对SiOC泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成份分析.结果表明,当裂解温度为1250℃时所获泡沫陶瓷的抗压强度最高,达10.8 MPa.微观结构分析显示,SiOC泡沫陶瓷呈三维网状结构,具有良好的贯通性,气孔率达到80%.
- 刘洪丽钟文武吴明忠
- 关键词：泡沫陶瓷聚硅氧烷先驱体转化法
- 活性填料对聚硅氮烷连接SiC陶瓷接头性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用陶瓷先驱体聚合物——含乙烯基聚硅氮烷并加入活性填料纳米铝粉连接无压烧结SiC陶瓷。研究了纳米铝粉填料对连接强度的影响,并对连接层的微观结构及成分进行了分析。结果表明,纳米铝粉的加入,促进了聚硅氮烷的裂解,降低了连接温度,减少了连接层内的孔隙等缺陷,从而有效地提高了连接强度。当连接温度为1 150℃,加入纳米铝粉填料所获得的连接件经2次浸渍/裂解增强处理后,其室温三点抗弯强度达到最大值为146.8 MPa。XRD分析表明,连接层含有Si3N4,SiC及少量AlN等微粒。微观结构及成分分析显示,连接层厚度约为5μm,元素分布较为均匀,连接层与母材之间接合良好。
- 刘洪丽李慕勤
- 关键词：聚硅氮烷活性填料纳米铝粉
- 采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷被引量：1
- 2008年
- 采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷（PSZ）连接无压烧结SiC陶瓷。研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响，并对连接区域微观结构进行了分析。结果表明，在1200～1400℃温度范围内，PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。随着连接温度的升高，连接强度先升高后降低；浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度；另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度。当连接温度为1300℃，纳米SiC填料（质量分数）为5％时，经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33．5MPa。微观结构分析显示，连接层厚度约为3～4μm，连接层与母材之间界面接合良好。
- 刘洪丽田春英钟文武李洪波
- 关键词：聚硅氮烷
- 用聚硅氧烷和羟甲基纤维素制备泡沫陶瓷被引量：1
- 2008年
- 选用聚硅氧烷为主要原料,用羟甲基纤维素为造孔剂,制备了SiOC泡沫陶瓷。研究了造孔剂含量、成型压力、裂解温度对泡沫陶瓷抗压强度及孔隙率的影响,并对泡沫陶瓷的微观形貌进行了分析。结果表明,随着造孔剂含量的增加,泡沫陶瓷的孔隙率随之增大,而抗压强度则随之降低;在40MPa^120MPa的成型压力范围内,随着成型压力的增加,泡沫陶瓷的孔隙率逐渐降低,而抗压强度不断增加;在1000~1400℃温度范围内,随着裂解温度的升高,泡沫陶瓷的抗压强度先增加后降低,而孔隙率不断降低;当羟甲基纤维素的含量为50%、成型压力为80MPa、裂解温度为1250℃时,所制备的泡沫陶瓷的抗压强度为43MPa,孔隙率为51%。微观结构分析显示,SiOC泡沫陶瓷微孔分布均匀,以三维交错的网状孔道相互贯穿。
- 刘洪丽钟文武
- 关键词：泡沫陶瓷聚硅氧烷造孔剂抗压强度
- 纳米SiC填料对SiOC泡沫陶瓷性能的影响被引量：1
- 2008年
- 以聚硅氧烷为先驱体，采用先驱体转化法及有机泡沫浸渍法相结合制备了SiOC泡沫陶瓷。研究了纳米SiC填料含量对SiOC泡沫陶瓷的抗压强度、孔隙率的影响，并对泡沫陶瓷的微观形貌进行了分析。结果表明：随着纳米SiC填料含量的增加，Si0C泡沫陶瓷抗压强度先升高后降低；在相同的裂解温度下，添加纳米SiC填料可提高泡沫陶瓷的孔隙率。当SiC填料含量达5％时泡沫陶瓷抗压强度达最大值17．8MPa，其孔隙率为88％。微观结构分析显示，SiOC泡沫陶瓷呈三维网状结构，孔径为100～500μm，具有良好的贯通性，且孔筋处结构较为均匀致密。
- 刘洪丽钟文武高晶吕迎
- 关键词：泡沫陶瓷纳米SIC聚硅氧烷
- 硅树脂805的裂解过程及高温连接陶瓷性能研究被引量：4
- 2008年
- 研究了硅树脂805的裂解过程，在此基础上采用硅树脂805高温连接氮化硅结合碳化硅陶瓷，研究了连接温度、连接压力以及活性填料对连接性能的影响。结果表明，在1000-1400℃范围内，随着温度的升高，硅树脂裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。采用单一硅树脂805为连接剂时，连接温度、连接压力对连接强度均有较大影响，当连接温度为1200℃，连接压力为100kPa时，连接试样抗弯强度达70．5MPa。硅树脂中加入适量的活性填料-纳米Al粉可有效地提高连接强度，同时降低连接温度，连接温度为1100℃所获连接试样抗弯强度达最大值102．6MPa。微观结构分析显示，连接层结构较为均匀致密，连接层与母材间界面接合良好。
- 刘洪丽曲立杰刘冬梅
- 关键词：硅树脂裂解活性填料
- 采用聚硅氮烷制备SiCN泡沫陶瓷被引量：9
- 2007年
- 采用含乙烯基聚硅氮烷为原料,利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiCN泡沫陶瓷。通过聚氨酯泡沫及聚硅氮烷的热分析制定温度曲线,研究了裂解温度、浸渍/裂解增强处理次数等工艺参数对泡沫陶瓷抗压强度的影响,采用XRD、SEM及EDS对SiCN泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成分分析。结果表明,在1000-1400℃温度范围内,随着温度的升高,泡沫陶瓷的抗压强度先升高后降低,增强处理对提高抗压强度有明显效果,当裂解温度为1300℃,经二次增强处理后,试样的抗压强度达11.5MPa。XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构分析显示,SiCN泡沫陶瓷呈三维网状结构,具有良好的贯通性,开孔气孔率达到85%。
- 刘洪丽钟文武宋春梅郑智敏
- 关键词：泡沫陶瓷聚硅氮烷先驱体转化法
- 不同陶瓷先驱体的裂解过程及粘接性能被引量：8
- 2008年
- 研究了三种陶瓷先驱体聚硅氮烷(PSZ)、聚硅氧烷(PSO)、聚碳硅烷(PCS)的裂解过程,并对其裂解产物进行了物相分析,在此基础上分别采用这三种先驱体为粘接剂连接碳化硅陶瓷。结果表明,PSZ、PSO在裂解过程中发生了交联反应,获得了较高的陶瓷产率;PCS交联性能较差,陶瓷产率较低;由XRD分析得出,在1200℃～1400℃温度范围内,随着温度的升高,三种先驱体的裂解产物均发生了由非晶态向晶态的转变。连接实验表明,采用PSZ、PSO为粘接材料均能获得较好的连接效果,连接件剪切强度分别达38.6MPa和33.2MPa,连接层厚度小于5μm,其结构较为均匀致密,与基体间界面接合良好;采用PCS为粘接材料时,不能获得有效的连接强度。
- 刘洪丽黄志求高晶荣守范
- 关键词：裂解过程聚硅氮烷聚硅氧烷聚碳硅烷
- 陶瓷先驱体聚硅氮烷连接C_f/SiC工艺及连接性能被引量：5
- 2008年
- 采用陶瓷先驱体转化法连接Cf／SiC复合材料。针对Cf／SiC复合材料的不同连接界面特性，采用不同的连接配方和工艺。结果表明：对于第一类以SiC相为主的连接界面，采用单一的聚硅氮烷即可实现Cf／SiC复合材料的连接，当连接温度为1300℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件接头抗剪强度达最大值29．6MPa；连接层厚度为2～3μm，其结构较为均匀致密，由无定型SiNC陶瓷组成；对于第二类以C纤维端面为主的连接界面，采用聚硅氮烷并加入活性填料纳米Al粉来实现其连接：当连接温度为1150℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件抗剪强度达最大值22．5MPa；连接层厚度约为30μm，连接层中含有SiC、Si3N4和AlN等相。
- 刘洪丽田春英吴明忠
- 关键词：CF/SIC复合材料聚硅氮烷
