河南省高校科技创新团队支持计划(2008HASTIT030)
- 作品数：6 被引量：26H指数：4
- 相关作者：戴宪起赵建华唐亚楠李艳慧赵宝更多>>
- 相关机构：河南师范大学河南省光伏材料重点实验室郑州师范学院更多>>
- 发文基金：河南省高校科技创新团队支持计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响被引量：11
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附,空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大;B掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,B掺杂结构相对较稳定.
- 戴宪起李艳慧赵建华唐亚楠
- 关键词：石墨烯空位缺陷B掺杂SI第一性原理
- Bi_2Te_3拓扑相变第一原理研究
- 2012年
- 拓扑绝缘体是最近几年凝聚态物理学的一个新的研究领域,是一种新的量子物质态。本文应用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了BiTe拓扑相变的机制。
- 戴宪起赵宝
- 关键词：拓扑绝缘体BI2TE3自旋轨道耦合第一性原理密度泛函理论
- 缺陷对Pt在石墨烯上吸附影响的研究被引量：8
- 2010年
- 本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.
- 戴宪起唐亚楠赵建华
- 关键词：B掺杂第一性原理
- Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响被引量：4
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,Al、Si、P掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,其中Al掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附Al掺杂体系和Si掺杂体系不具有磁性,Ge吸附P掺杂体系具有磁性.
- 李艳慧刘中山赵建华赵宝戴宪起
- 关键词：石墨烯AL掺杂第一性原理
- 氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究被引量：2
- 2008年
- 利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主.
- 戴宪起王建利闫慧娟
- 关键词：第一性原理INN形成能
- 空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响被引量：5
- 2011年
- 利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。
- 戴宪起孙永灿赵建华危书义
- 关键词：第一性原理空位掺杂铟硅石墨烯
