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国家自然科学基金(50172006)

作品数:4 被引量:61H指数:2
相关作者:张跃李杰戴英黄秀颀方圆更多>>
相关机构:北京科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信冶金工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇氧化锌
  • 2篇烧成
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷结构
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇掺杂
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化锌晶须
  • 1篇四针状氧化锌
  • 1篇四针状氧化锌...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米电缆
  • 1篇晶须
  • 1篇半导体
  • 1篇NANORO...
  • 1篇NANOWI...

机构

  • 4篇北京科技大学

作者

  • 4篇张跃
  • 3篇黄运华
  • 3篇周成
  • 3篇纪箴
  • 2篇戴英
  • 2篇顾友松
  • 2篇王森
  • 1篇方圆
  • 1篇黄秀颀
  • 1篇展晓元
  • 1篇顾有松
  • 1篇李杰

传媒

  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2002
4 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究
研究了V2O5与Y2O3共掺杂对BaTi0.85Zr0.15O3(BTZ)陶瓷结构和性能的影响.发现适量的V2O5掺杂与Y2O3共同作用,在保证较高常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显.通过控制二...
王森纪箴黄运华顾友松周成张跃
关键词:掺杂介电常数
文献传递
掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究
2004年
研究了V2O5与Y2O3共掺杂对BaTi0.85Zr0.15O3(BTZ)陶瓷结构和性能的影响.发现适量的V2O5掺杂与Y2O3共同作用,在保证较高常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显.通过控制二者的含量,可以在1280℃烧出结构致密、介电性能和绝缘性能良好的陶瓷材料.Y2O3能够促进材料烧结,提高材料的烧成收缩.在还原气氛烧成的条件下,部分V5+可以进入钛酸钡晶格,起到受主掺杂的功效,中和材料中的自由电子,增加V2O5掺杂的数量可以有效地提高材料的绝缘电阻.
王森纪箴黄运华顾友松周成张跃
关键词:掺杂介电常数
Application of Ceramic Coat Synthesized by In-Situ Combustion Synthesis to BF Tuyere被引量:7
2007年
A novel technology of tuyere protection is introduced. The ceramic coat .is synthesized by using in-situ combustion process as the internal, external, and nose protecting coat of BF tuyeres. It can effectively protect the tuyeres and reduce heat loss by cooling water. The technglogy is quick-acting, easy to use, energy-saving and can make tuyeres have long service life. The feasibility of the application of the tuyere ceramic coat is discussed and the energy-saving effect of the tuyere is compared with that of the tuyeres lined with refractory.
YANG Da-zhengGUAN YongZHANG YueLI JingHU Jun-geLI Wen-zhu
Shape controlled synthesis and growth mechanism of one-dimensional zinc oxide nanomaterials被引量:1
2004年
Some types of ZnO nanostructures with various shape and size, includingtetrapod-like ZnO (T-ZnO) nanorods, nanowires and nanoribbons, have been obtained by controlledgrowth process. The nanostructures of ZnO have been investigated by means of field-emission scanningelectron microscope, transmission electron microscopy and high-resolution transmission electronmicroscopy. The growth mechanisms of various ZnO nanostructures were proposed and discussed.
YueZhang YingDai YunhuaHuang ChengZhou
ZnO/SiOx纳米电缆的制备、结构和生长机理
以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有“心线-壳层”同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆。扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其“心线-壳层”的独...
贺建黄运华顾有松张跃戴英纪箴展晓元周成
关键词:纳米电缆氧化锌氧化硅
文献传递
高品质四针状氧化锌晶须的结构及生长机理被引量:53
2002年
用锌粉氧化的方法,通过控制反应器内的气相过饱和度,合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须(T-ZnO晶须).制备的T-ZnO晶须为长尾晶须,针长为5~30 μm,针体的根部尺寸为1~2μm,尾部约100nm.晶须的生长机理为气-固(VS)机理.控制反应器 内的反应气相过饱和度是制备高品质T-ZnO晶须的关键因素.
戴英张跃方圆黄秀颀李杰
关键词:氧化锌半导体
共1页<1>
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