中央级公益性科研院所基本科研业务费专项(NS2010160)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
- 相关作者：沈鸿烈李斌斌鲁林峰林龙江丰更多>>
- 相关机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：中央级公益性科研院所基本科研业务费专项国家高技术研究发展计划江苏省科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 射频反应磁控溅射法制备N掺杂p型氧化亚铜薄膜被引量：5
- 2011年
- 通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对Cu2O薄膜性能的影响。结果表明:随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.28 eV升至2.47 eV左右,同时薄膜的电学性能趋于稳定。当N2/O2流量比率为0.6时,薄膜电阻率为1.5Ω.cm,空穴浓度为2.16×1019cm-3,霍尔迁移率为0.5 cm2.V-1.s-1。
- 林龙李斌斌鲁林峰沈鸿烈刘斌
- 关键词：氧化亚铜磁控溅射X射线光电子谱
- 氧气流量对射频磁控溅射制备Cu_2O薄膜性能的影响被引量：6
- 2010年
- 通过磁控溅射方法在玻璃衬底上制备Cu2O薄膜,采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu2O薄膜性能的影响。结果表明:氧气流量为4.2 sccm时,薄膜为单相的Cu2O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29 eV,薄膜的导电类型是p型且空穴浓度为2×1016cm-3。通过XPS能谱分析Cu 2p和O 1s结合能,确定了薄膜中Cu以+1价存在。
- 林龙李斌斌鲁林峰江丰沈鸿烈
- 关键词：氧化亚铜磁控溅射电阻率
