国家自然科学基金(50172042)
- 作品数：22 被引量：85H指数：6
- 相关作者：王德苗董树荣金浩徐文彬任高潮更多>>
- 相关机构：浙江大学集美大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 薄膜材料的微波复介电常数测量
- 为了精确测量厚度在以1μm以下薄膜材料的微波复介电常数,提出一种基于金属谐振腔微扰理论的测量方法和装置,对该方法进行了理论分析和实验验证,实验样品采用0．81μm厚度的MC-91(BaO-(SmNdLa)2O3-Bi2O...
- 金浩王德苗董树荣
- 关键词：微波测量复介电常数微扰
- 文献传递
- TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究被引量：2
- 2010年
- 以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO2/SiO2和TiO2/SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO2和SiOxNy等界面层的引入有效地降低了TiO2栅介质电荷密度及漏电流,而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体现出来。对漏电特性的进一步分析显示,TiO2/SiO2结构中的缺陷体分布和TiO2/SiOxNy结构中的缺陷界面分布是导致电学性能差异的主要原因。综合比较来看,TiO2/SiOxNy结构栅介质在提高MOS栅介质性能方面有更大的优势及更好的前景,有助于拓展TiO2薄膜在高k栅介质领域的应用。
- 徐文彬王德苗
- 关键词：栅介质射频磁控溅射
- FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究被引量：9
- 2006年
- 采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。
- 董树荣王德苗
- 关键词：ALNFBAR晶体结构
- 电磁屏蔽层设计及其磁控溅射制备的研究
- 通过传输线模型推导出多层无限大平板的屏蔽效能的计算公式,并根据公式设计了双层屏蔽层,通过多靶直流溅射制备了多种金属屏蔽膜。研究结果表明:衰减损耗是各层屏蔽效果线性相加的结果,反射损耗与各层相对位置关系无关, 层数多或各屏...
- 王德苗董树荣任高潮
- 关键词：电磁屏蔽磁控溅射屏蔽效能EMI
- 文献传递
- 薄膜材料的微波复介电常数测量被引量：1
- 2005年
- 为了精确测量厚度在以1 μm以下薄膜材料的微波复介电常数,提出一种基于金属谐振腔微扰理论的测量方法和装置,对该方法进行了理论分析和实验验证,实验样品采用0.81μm厚度的MC-91(BaO-(SmNdLa)2O3-Bi2O3-TiO2)介质陶瓷薄膜,测试频率在2.4 GHz左右,对测量结果进行了误差分析,其相对误差＜7%,其中3%的误差是由薄膜厚度的测量误差引起的.
- 金浩王德苗董树荣
- 关键词：微波测量复介电常数微扰
- 基于叉指结构的平面分形电容研究被引量：4
- 2010年
- 以基于叉指结构的平面分形电容为研究对象,电容由激光刻蚀法制得,在测得其S参数后,利用ADS仿真工具进行了一阶等效电路参数提取及分析.结果表明,随着共面叉指电极间距的相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大;而分形设计可以在保证电极间距不变的情况下,改善电容的工作稳定性.最后制得的分形平面电容的电容值在1~7 pF之间,电容稳定工作频率可达2.5 GHz以上,显示了较好的可调性和稳定性.
- 徐文彬庄铭杰王德苗
- 关键词：叉指电极分形
- 铁氧体表面无铅焊接薄膜的磁控溅射制备研究被引量：5
- 2008年
- 随着环保要求的不断提高,特别是2006年欧盟新环保指令禁止电子产品含有铅、六价铬等重金属,铁氧体以往的电镀焊接薄膜将被明确禁止。本文采用磁控溅射技术在铁氧体表面制备无铅焊接复合薄膜,从理论和实验上研究分析了薄膜的结构、厚度与膜层的结合、焊接性能。研究发现:当膜层结构为Cr(150 nm)/Ni-Cu(460 nm)/Ag(200 nm)时,其平均抗拉强度可达6.15 MPa,焊接合格率大于98%,能经受450℃1、0 s的高温无铅焊锡熔蚀,性能远远好于电镀膜层,而且工艺无污染。
- 金浩马元远王德苗
- 关键词：铁氧体磁控溅射
- 射频溅射制备镁钙微波陶瓷薄膜的研究被引量：2
- 2005年
- 制备了膜层质量良好的镁钙微波介质陶瓷(MCT)薄膜.采用高密度等离子体射频溅射法在(110)二氧化硅上沉积了MCT陶瓷薄膜.研究结果表明: 薄膜态MCT陶瓷具有和块状材料相近的微波介电特性,MCT薄膜的介电常数在20左右,品质因子在23 THz左右;溅射气体的氩氧混合体积比会明显影响薄膜膜层质量及其介电特性,氧分压的变化改变了八面体C轴长度,使晶格畸变和八面体向四面体转变;溅射功率和退火工艺温度也会影响薄膜质量.
- 董树荣王德苗金浩
- 关键词：微波介质陶瓷MCT介质薄膜射频溅射
- PZT高频陶瓷表面金属化薄膜及其结构被引量：8
- 2002年
- 采用磁控溅射与真空蒸发工艺相对比的方法 ,分析了不同金属化薄膜及其结构对薄膜与PZT陶瓷的结合力和器件高频电学性能的影响。实验表明 :Cu Ni+Ag薄膜可以改善陶瓷与金属的结合和减少反浸润发生 ,显著提高结合力 ,从而改善器件的电学性能。分析表明结合力是影响高频压电陶瓷电学性能的一个重要因素 ,实验得到了优化的金属化薄膜成分和结构 ,同时提出了相应的溅射工艺。
- 董树荣王德苗任高潮王华
- 关键词：PZT表面金属化溅射
- 射频反应磁控溅射制备低辐射薄膜被引量：13
- 2006年
- 采用射频反应磁控溅射法制备了低辐射薄膜。对低辐射膜的薄膜结构的设计和测试结果表明:较合适的膜层结构是空气/二氧化钛/钛/银/二氧化钛/玻璃基片的多层结构。用扫描电镜分析了保护层钛层的作用,研究表明:银膜很容易氧化失效,失去反射红外紫外光作用,在表面镀覆钛保护层可以很好地保护银,避免银氧化,从而提高使用寿命。用分光光度计测试样品的透射率,当保护层钛层厚度为1 nm时,相应的膜系在可见光区(380 nm^780 nm),最高透射率可达82.4%,平均透射率是75%;在近红外区(780 nm^2500 nm)的平均透射率为16.2%,可以满足建筑物幕墙玻璃等低辐射膜的要求。
- 金炯董树荣王德苗
- 关键词：射频磁控溅射保护层多层膜透射率
