山东省自然科学基金(Z2003F04)
- 作品数：13 被引量：57H指数：5
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- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- 0.94[(Na_(0.96-x)K_xLi_(0.04))_(0.5)Bi_(0.5)]TiO_3-0.06Ba(Zr_(0.055)Ti_(0.945))O_3无铅压电陶瓷的压电介电特性被引量：2
- 2006年
- 对无铅压电陶瓷0.94[(Na0.96-xKxLi0.04)0.5B i0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3的性质随K含量的变化进行了系统研究,获得压电应变常数d33高达185pC/N的0.94[(Na0.80K0.16Li0.04)0.5-B i0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。随着K掺杂量的增加,该陶瓷材料的介电温谱峰值向右明显移动,其介电峰温度明显升高。
- 盖志刚王矜奉明保全杜鹃郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷介电损耗压电性能
- (1-y)[(Na0．96-xKxLi0．04)0．5Bi0．5]TiO3-yBa(Zr0．055Ti0．945)O3无铅压电陶瓷的压电介电特性
- 对(1-y)[(NaKLi)Bi]TiO-yBa (ZrTi)O无铅压电陶瓷进行了系统研究,获得压电应变常数 d高达185(pC/N)的0．94[(NaKLi) Bi]TiO-0．06Ba(ZrTi)O压电陶瓷。还研究了...
- 盖志刚王矜奉苏文斌亓鹏杜鹃明保全郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能
- 文献传递
- La_3Ga_5SiO_(14)晶体压电系数的温度特性被引量：5
- 2005年
- 测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.
- 赵明磊王增梅袁多荣王矜奉王春雷王渊旭
- 关键词：谐振特性谐振频率温度特性压电常数压电系数温度范围
- (Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响被引量：14
- 2004年
- 研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。
- 陈洪存王矜奉臧国忠苏文斌王春明亓鹏
- 关键词：半导体技术残压比
- （1-y）[（Na0.96-xKxLi0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3无铅压电陶瓷的压电介电特性
- 2007年
- 对（1-y）[（Na0.80K0.16Li0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3无铅压电陶瓷进行了系统研究，获得压电应变常数d33高达185（pC/N）的0．94[（Na0.80K0.16Li0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3压电陶瓷。还研究了该材料[（Na0.96-xKxLi0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3的性质随K含量的变化．随着Ba（Zr0.055Ti0.945）O3含量的增加，该陶瓷材料的介电温谱峰值向左移动，其介电峰温度缓慢降低；与此相反，随着K掺杂量的增加，该陶瓷材料的介电温谱峰值却向右明显移动，其介电峰温度明显升高。
- 盖志刚王矜奉苏文斌亓鹏杜鹃明保全郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能
- 高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制被引量：9
- 2005年
- 用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷。实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能。在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10–2、43×10–2、64×10–2。介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃。
- 臧国忠王矜奉明保全亓鹏杜鹃郑立梅盖志刚
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷铌酸盐机电耦合系数居里温度
- TiO_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应被引量：6
- 2004年
- 研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。
- 明保全王矜奉陈洪存苏文斌臧国忠高建鲁
- 关键词：压敏材料二氧化锡晶粒尺寸SNO2
- 旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析
- 2004年
- 通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.
- 赵明磊王增梅袁多荣王矜奉王春雷王渊旭王晓颖
- 关键词：压电常数
- Ca_3NbGa_3Si_2O_(14)晶体的介电和压电特性被引量：1
- 2004年
- 利用Y切和 (yxl) 30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体的介电、压电和部分弹性参数 .计算了 (yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化 .与La3Ga5SiO1 4晶体相比 ,Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体具有更优良的压电性能 ,其压电常数d1 1=7 93× 10 - 1 2 C N ,d1 4=- 5 88× 10 - 1 2 C N .
- 赵明磊王矜奉袁多荣王增梅王春雷王渊旭
- 关键词：介电压电常数压电特性压电性能晶体
- 铌钽酸盐无铅压电陶瓷的制备与性能被引量：10
- 2004年
- 用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌钽酸盐(Na0.50K0.35Li0.1Ag0.05)(Nb1-xTax)O3 (x = 0,0.025 0,0.050 0,0.072 5)材料,研究了该材料的介电、压电性能随x的变化关系。实验发现x = 0.050 0在1 102℃条件下烧结的陶瓷,其压电常数d33高达117 pC/N,机电耦合系数kt、kp和k33分别为34%、25%和41%,相对介电常数T33e/e0 为617,机械品质因数Qm为121。该压电陶瓷是一高温压电陶瓷,四方–立方相变温度高达600℃以上。
- 张杨王矜奉杜鹃苏文斌臧国忠王春明亓鹏梁兴华
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷铌酸盐钽酸盐压电常数
