您的位置： 专家智库 > >

国防科技重点实验室基金(9140C0602030603)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：商耀辉郭维廉齐海涛李亚丽张雄文更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所天津大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流峰谷比
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇隧穿
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇RTT
  • 1篇串联型

机构

  • 1篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇冯震
  • 1篇张雄文
  • 1篇李亚丽
  • 1篇齐海涛
  • 1篇郭维廉
  • 1篇商耀辉

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制被引量：1
2007年
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.
齐海涛李亚丽张雄文冯震商耀辉郭维廉
关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管电流峰谷比
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0