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天津市高等学校科技发展基金计划项目(20120905)

作品数:1 被引量:6H指数:1
相关作者:袁虎臣徐生艳张颖涛李岚耿耀辉更多>>
相关机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇荧光粉
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇发光
  • 1篇发光强度
  • 1篇发光特性
  • 1篇WO
  • 1篇GD
  • 1篇GDL

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇耿耀辉
  • 1篇李岚
  • 1篇张颖涛
  • 1篇徐生艳
  • 1篇袁虎臣

传媒

  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Si^(4+)掺杂对Gd_(1.6)WO_6:Eu_(0.4)^(3+)荧光粉发光特性的影响被引量:6
2014年
采用高温固相法合成了不同Si 4+掺杂比例的Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉,分析了Si 4+掺杂对Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si 4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现:Si 4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si 4+的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si 4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。计算结果与实验结果相符。
耿耀辉徐生艳张颖涛袁虎臣李岚
关键词:GDL发光强度
共1页<1>
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