上海市自然科学基金(10ZR1411400)
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Lu_2O_3:Tb薄膜的制备、结构和发光性能被引量：1
- 2010年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂技术在单晶硅衬底上制备出了均匀、无裂纹的掺Tb3+的Lu2O3(Lu2O3:Tb)薄膜。用热重-差示扫描量热法分析了前驱体干凝胶在室温至1000℃下发生的热分解现象。利用X射线衍射和Fourier红外光谱和原子力显微镜研究了热处理温度对Lu2O3:Tb薄膜的晶相、化学组成和表面形貌的影响。结果表明:在550～1000℃间热处理的Lu2O3:Tb薄膜为多晶氧化镥立方结构,晶粒尺寸随温度升高而逐渐长大至30nm左右。在220nm紫外光激发下,Lu2O3:Tb薄膜呈现出较强的绿光发射,主发射峰分别位于542nm和551nm处。随着热处理温度的提高,Lu2O3:Tb薄膜中缺陷减少,发光强度增强。
- 谢杰施鹰谢建军邱华军宋国新
- 关键词：溶胶-凝胶法形貌发射光谱
- Pechini溶胶-凝胶法制备LuAG:Tb薄膜的显微结构及发光性能
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺制备了Tb^(3+)掺杂Lu_3Al_5O_(12)(简称LuAG:Tb)发光薄膜。前驱体薄膜在850℃左右锻烧得到单一石榴石相的LuAG:Tb薄膜。LuAG薄膜的发射光谱(268nm紫外光激发)对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7E_J(J=6～0)和~5D_3→~7F_J特征跃迁,光谱强度随Tb^(3+)掺杂浓度的升高先增强后减弱,在x(Tb^(3+))=2.0%时光谱强度最强,其发光衰减时间为5.14ms。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察显示LuAG薄膜的颗粒度大小和表面粗糙度随煅烧温度的升高而增大。
- 王剑沈思情谢建军施鹰王宇林挺袁晖艾飞
- 关键词：显微结构
- 溶胶-凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能被引量：4
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Lu2SiO5:Ce粉体。基于X射线衍射、透射电镜、紫外-可见激发发射、X射线激发发射和荧光衰减时间的测试,研究了溶胶-凝胶法制备的纳米Lu2SiO5:Ce粉体的物相结构和发光性能。结果表明:在1000℃煅烧2h得到粒径约为40nm的纯Lu2SiO5:Ce粉体;其激发谱中的最强激发峰在360nm处,发射谱中在398～407nm范围有以407nm为中心的宽发射峰,归因为Ce3+的4f-5d间的电子跃迁。在X射线激发下Lu2SiO5:Ce粉体的发光表现出二级发光衰减行为,衰减时间分别为τ1=10.98ns和τ2=39.32ns,相应的发光强度比例分别为73.38%和21.29%。
- 谢建军林挺施鹰宋国新吴卫平
- 关键词：纳米粉体
- Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能被引量：5
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明:薄膜样品从900℃开始晶化,1 100℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350～500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05,厚度与SEM测试结果相一致。
- 沈思情许志斌马清谢建军施鹰袁晖熊巍
- 关键词：真空紫外光谱光学常数
- 溶剂热法制备不同形貌纳米Lu_2O_3粉体被引量：5
- 2010年
- 本文以水、丙酮、乙醇、乙二醇为溶剂,采用溶剂热法制备了不同形貌的纳米氧化镥（Lu2O3粉）粉体前驱体,将前驱体在400-800℃条件下煅烧2 h制得了不同形貌的Eu^3＋∶Lu2O3粉体。研究发现,所用溶剂的物理性质对产生特定形貌的样品具有重要的影响,以水和丙酮为溶剂,可制得具有较高长径比的Lu2O3纳米棒,而当溶剂为乙醇和乙二醇时,所得Lu2O3粉体为等轴状的纳米颗粒。
- 邱华军施鹰谢建军谢杰
- 关键词：溶剂热法氧化镥纳米粉体形貌
