中国科学院科研装备研制项目(YZ200755)
- 作品数：4 被引量：15H指数：3
- 相关作者：夏洋李超波刘邦武秦威李勇滔更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所昆明理工大学嘉兴科民电子设备技术有限公司更多>>
- 发文基金：中国科学院科研装备研制项目国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InP/Si键合技术研究进展被引量：3
- 2010年
- InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析。降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势。比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径。
- 刘邦武李超波李勇涛夏洋
- 关键词：SIINP键合
- 等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究被引量：3
- 2012年
- 表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面布满了高度为0-550 nm的山峰状结构,结构层中硅体积分数和折射率随抗反射层厚度增加而连续降低.在:300—1000nm波段范围内,黑硅样品的加权平均反射率低至6.0%.通过传递矩阵方法对黑硅样品反射谱进行模拟,得到的反射谱与实测反射谱非常符合.
- 刘杰刘邦武夏洋李超波刘肃
- 关键词：等离子体浸没离子注入折射率
- 等离子体增强原子层沉积系统及其应用研究被引量：4
- 2014年
- 介绍了自行设计的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统及其原位制备氮掺杂纳米TiO2可见光催化剂的实验结果。PEALD系统主要由远程脉冲感应耦合等离子体发生器、真空反应腔室、真空系统、前驱体输运系统、控制系统等部分组成。沉积过程中前驱体的交替、等离子体的产生、样品台温度、载气流量、沉积周期等参数都可以预先设定并由控制系统自动执行。在研制的PEALD系统上首次开展原位氮掺杂纳米TiO2光催化剂的制备,高分辨透射电镜结果表明制备的氮掺杂TiO2薄膜为非晶态结构,薄膜厚度为3 nm,生长速率为0.05 nm/cycle;X射线光电子能谱结果表明N元素掺入到了制备的TiO2薄膜,并取代了TiO2薄膜中的O元素;紫外-可见光谱表明制备的氮掺杂TiO2薄膜对可见光的吸收率明显增强。
- 万军饶志鹏方攸同陈波李超波夏洋
- 关键词：原位掺杂
- 全固态高效率射频电源被引量：5
- 2011年
- 射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件，其性能的好坏直接关系到整个设备的性能。固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器，通过适当的阻抗匹配网络，最终的射频电源在500W的额定功率下，功率转换效率可以达到84％，微电子设备真空腔室内的等离子体启辉时，其阻抗变化范围很大且速度很快。目前匹配速度最快的MKS的自动匹配器（在允许匹配范围内匹配到50Ω时用时3～5S）也很难实时跟上，所以固态射频电源必须能够承受500W功率的反射至少3～5s。经过实验后，本固态射频电源完全可以承受500W功率的全反射308左右。
- 秦威李勇滔李超波夏洋李英杰赵章琰许晓平
- 关键词：E类阻抗匹配网络等离子体全反射
