河北省教育厅高等学校自然科学研究项目(Z2008103)
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
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- 相关机构：河北民族师范学院承德民族师范高等专科学校河北师范大学更多>>
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- 量子环终端布局对自旋输运的影响
- 2010年
- 研究了量子环透射终端与入射终端相对位置改变时的变化规律。研究结果表明:透射概率和自旋极化率随半导体环尺寸的增大作周期性振荡,都与透射终端位置的改变相关;铁磁电极、Rashba自旋轨道耦合、外加磁场对透射概率和自旋极化率具有不同影响;透射概率随δ势垒强度增加单调减小,自旋极化率随δ势垒强度增加单调增大。
- 杜坚
- 关键词：量子环RASHBA自旋轨道耦合
- 铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性被引量：5
- 2009年
- 研究了与铁磁/半导体/铁磁结构相关的双量子环自旋输运的规律,研究结果表明:总磁通为零条件下,铁磁电极磁化方向反平行时,双量子环与单量子环相比提高了自旋电子透射概率的平均值.铁磁电极磁化方向平行时,双量子环对提高自旋向下电子平均透射概率的效果更明显;双量子环受到Rashba自旋轨道耦合作用影响时,自旋电子的平均透射概率明显高于单量子环,即使再加上外加磁场的影响,透射概率较高这一特征依然存在;双量子环所含的δ势垒具有阻碍自旋电子输运的作用,随δ势垒强度Z的增大透射概率将会单调、非线性地减小.
- 杜坚李春光秦芳
- 关键词：RASHBA自旋轨道耦合
- 含双δ势垒三臂量子环的透射概率和持续电流被引量：2
- 2009年
- 研究了含双δ势垒三臂量子环的透射概率和持续电流,研究结果表明:透射概率和持续电流都随半导体环尺寸的增大发生振荡,透射概率和持续电流与电子自旋和铁磁电极磁矩的取向相关.量子环尺寸取固定值时,透射概率和持续电流都会随AB磁通的增加发生周期性等幅振荡.δ势垒和Rashba自旋轨道耦合对透射概率或持续电流有着不同的影响.
- 杜坚王素新杨淑敏
- 关键词：持续电流RASHBA自旋轨道耦合
- 三终端量子环的透射概率和概率流密度
- 2010年
- 透射概率和概率流密度随量子环增大都会发生振荡。δ势垒增强会使概率流密度在下臂中单调增,在上臂中单调减。AB磁通增强时,透射概率和概率流密度都会发生振荡。在一定条件下,上臂左右段概率流密度之间存在对称性。
- 杜坚何温徐曼
- 关键词：量子环RASHBA自旋轨道耦合
- 四终端量子环自旋输运的性质
- 2010年
- 提出了铁磁/半导体/铁磁结构的四终端量子环模型,研究表明:透射概率随半导体环增大做周期性等幅振荡,并与电子的自旋方向和铁磁电极的磁矩方向相关。上下电极的平均透射概率均比右侧电极的大,但四终端量子环的平均透射概率及其振荡频率均比两终端量子环的低。Rashba自旋轨道耦合具有促使透射概率产生零点的效应,AB磁通对透射概率具有影响。
- 杜坚
- 关键词：量子环RASHBA自旋轨道耦合
- 双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻被引量：1
- 2010年
- 研究了双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻,研究结果表明:隧穿电导和隧穿磁电阻都随半导体环增大做周期性等幅振荡。δ势垒、Rashba自旋轨道耦合、AB磁通对隧穿电导或隧穿磁电阻的影响各不相同。隧穿磁电阻随AB磁通增强发生周期性等幅振荡,并随φ0角的减小而增大。两电极磁矩方向反平行时,隧穿磁电阻恒为零。
- 杜坚王素新
- 关键词：量子环隧穿电导隧穿磁电阻RASHBA自旋轨道耦合
