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国家科技重大专项(2012zx03005007)
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1
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相关作者:
郝晓冉
孙健
陈岚
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基于PCRAM主存系统的访问机制
2014年
随着基于DRAM主存系统功耗的不断上升,相变随机访问存储器(PCRAM)凭借其高密度、低功耗、非易失等优点,将成为下一代最有潜力的主存技术.然而,PCRAM的写操作具有寿命有限和写入能耗、延时较大的特点,限制了其在主存系统中的应用.为了延长主存系统的使用寿命并减少写入能耗,采用写前读技术设计了一种基于异或的数据并行机制.实验结果表明,经过该机制处理,与传统的Data Comparison Write和Flip-N-Write机制相比,写寿命分别延长38%和19%,写入能耗分别减少28%和17%.
孙健
陈岚
郝晓冉
关键词:
能量损耗
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