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福建省教育厅科技项目(JK2009038)

作品数：7 被引量：14H指数：3
相关作者：郑冬梅王宗篪肖荣辉苏春燕彭福川更多>>
相关机构：三明学院福建师范大学更多>>
发文基金：福建省教育厅科技项目新世纪高等教育教学改革工程福建省教育厅资助项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学

主题

  • 6篇柱形量子点
  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 3篇电场
  • 3篇束缚能
  • 3篇内建电场
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇双电子
  • 2篇纤锌矿
  • 2篇化物
  • 2篇氢
  • 2篇波函数
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电子学
  • 1篇杂质对
  • 1篇施主
  • 1篇施主杂质
  • 1篇维里定理

机构

  • 7篇三明学院
  • 1篇福建师范大学

作者

  • 7篇郑冬梅
  • 6篇王宗篪
  • 2篇肖荣辉
  • 1篇郑明志
  • 1篇林丽梅
  • 1篇彭福川
  • 1篇苏春燕

传媒

  • 2篇量子电子学报
  • 2篇三明学院学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇闽江学院学报
  • 1篇淮北师范大学...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
反应磁控溅射Cu_2O薄膜的结构和电学性质
2010年
用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.
肖荣辉林丽梅郑明志彭福川郑冬梅
关键词：CU2O反应磁控溅射电学性质
氮化物柱形量子点中离子施主束缚激子态波函数的研究
2011年
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的尝试波函数,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中离子施主束缚激子(D+,X)的束缚能随量子点高度L、In含量x及离子施主杂质位置z0的变化规律.计算结果表明:三个不同尝试波函数变分计算得到的束缚能随量子点高度L、In含量x及离子施主杂质位置z0的变化规律一致.但对比三个不同尝试波函数计算所得结果,依据变分原理可知,三参量尝试波函数优越.
郑冬梅王宗篪
关键词：柱形量子点束缚能波函数
双电子柱形量子点基态能的杂质效应
2011年
在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。
郑冬梅王宗篪
关键词：双电子柱形量子点GAN束缚能
纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁被引量：5
2012年
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子（A~,X）的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸（高度和半径）、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值;随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值;进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大。和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小。
郑冬梅王宗篪
关键词：光电子学柱形量子点内建电场发光波长
氮化物柱形量子点中类氢施主杂质态波函数的研究
2010年
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的变分波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随量子点高度L及杂质位置z0、ρ0的变化规律。计算结果表明:三个不同变分波函数计算得到的杂质态结合能随量子点高度L及施主杂质位置z0、ρ0的变化规律一致,但对比三个不同变分波函数计算所得结果可知,选取单参量的各向同性类氢波函数,杂质态结合能最大,基态能最低,按变分原理,表明各向同性类氢波函数能更好地描写柱形量子点中类氢施主杂质电子的运动,也表明小量子点(量子点的直径和高度可比)中类氢施主杂质态一定程度上的各向同性行为。
郑冬梅王宗篪
关键词：柱形量子点波函数
内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响被引量：5
2011年
在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/Al_rGa_(1-x)N量子点系统束缚能的影响。结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L>6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能。
郑冬梅王宗篪苏春燕
关键词：柱形量子点内建电场束缚能
纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态被引量：5
2010年
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(QD)尺寸以及杂质在量子点中位置的变化,并与以前使用不同尝试波函数的计算结果进行了比较。结果表明:由我们选取的两变分参数波函数得到的结果与前人选取的两变分参数波函数得到的结果相比有所改进,而与选取一个变分参数波函数得到的结果一致。同时我们还计算了体系的维里定理值随量子点半径的变化情况,所得结果与前人工作结果一致,说明本文选取的两变分参数波函数能很好地描述柱形量子点中施主杂质态的运动。
郑冬梅王宗篪肖荣辉
关键词：柱形量子点内建电场
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