教育部基金(207013)
- 作品数：5 被引量：10H指数：1
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- 沉积温度对磁控溅射法制备La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜微结构和导电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响。结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基片上实现了外延生长;随着沉积温度的升高薄膜表面粗糙度呈现规律性的变化;薄膜的电阻率随沉积温度的升高单调下降,650℃沉积薄膜的电阻率最小为1.63μΩ.cm。
- 付跃举刘保亭郭颖楠傅广生
- 关键词：射频磁控溅射
- 沉积位置对脉冲激光沉积纳米Si晶薄膜微观结构的影响
- 2009年
- 在4.0×10-4Pa的真空条件下,采用脉冲激光烧蚀技术在单晶Si衬底和石英衬底上制备了非晶纳米Si薄膜。在N2气氛下,经过900℃热退火得到纳米Si晶薄膜。采用表面台阶测试仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等检测手段对样品不同位置的微观结构进行了表征。测量结果表明制备的纳米Si晶薄膜厚度及其晶粒尺寸分布不均匀,随着测量点与样品沉积中心距离的增加,薄膜的厚度逐渐减小,纳米Si晶粒的尺寸逐渐增大。从脉冲激光烧蚀动力学的角度对实验结果进行了定性的分析。
- 周阳郑红芳王英龙刘保亭
- 关键词：脉冲激光烧蚀晶粒尺寸
- 玻璃基Pt/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/ITO电容器的结构及物理性能研究
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有(101)高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm2和2.5×109Ω.cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
- 周阳程春生赵敬伟郑红芳赵庆勋彭英才刘保亭
- 关键词：溶胶-凝胶法电学性能
- 蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延ZnO薄膜被引量：8
- 2009年
- 在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了ZnO薄膜微观结构和光学特性。AFM测量结果表明ZnO薄膜具有较为均匀的ZnO晶粒,表面平整,具有较小的均方根粗糙度(0.9 nm);X射线衍射结果表明制备的ZnO薄膜为具有六角纤锌矿结构的外延薄膜;光学透射谱显示样品在可见光范围内具有较高的透过性,并在370 nm附近出现一个较陡的吸收边,表明在室温下制备出了具有较高质量的ZnO薄膜。
- 周阳仇满德付跃举邢金柱霍骥川彭英才刘保亭
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射
- 磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜，然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜，制备了铜膜／钛-铝膜／硅试样；对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理，用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明：当退火温度低于750℃时，试样表面平整，表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变，此时，非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用；当退火温度在800℃时，试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大，此时，非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。
- 邢金柱刘保亭霍骥川周阳李晓红李丽张湘义彭英才王侠
- 关键词：铜互连阻挡层射频磁控溅射
