国际科技合作与交流专项项目(2010DFB13040)
- 作品数：5 被引量：20H指数：2
- 相关作者：闵昊闫娜谈熙杨晓飞崔承刚更多>>
- 相关机构：复旦大学中国科学院上海高等研究院上海高性能集成电路设计中心更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划住房和城乡建设部科学技术计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路被引量：1
- 2014年
- 提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈可以控制接收机等效输入阻抗实部与虚部的变化,进行阻抗匹配,省去了片外匹配网络。在SMIC 0.13μm CMOS混和信号工艺下进行流片。测试结果表明,核心模块的电源电压为3 V,电流为7.3 mA,混频器的转换增益为21.8 dB,输入1 dB压缩点为-5.11 dBm,IP3为4.6 dBm,芯片核心面积为0.83 mm×0.56 mm。
- 林之恒谈熙闵昊
- 适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器被引量：2
- 2011年
- 设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出。芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5μA。芯片采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2。
- 毕中裕简文翔金钢彭巍闫娜闵昊林殷茵
- 关键词：低功耗射频识别标签电容分压
- 基于内部罚函数的进化算法求解约束优化问题被引量：16
- 2015年
- 为解决现有约束处理方法可行解的适应度函数不包含约束条件的问题,提出了一种内部罚函数候选解筛选规则.该候选解筛选规则分别对可行解和不可行解采用内部罚函数和约束违反度进行筛选,从而达到平衡最小化目标函数和满足约束条件的目的.以进化策略算法为基础,给出了基于内部罚函数候选解筛选规则的进化算法的一个实现.进一步地,从理论和实验角度分别验证了内部罚函数候选解筛选规则的有效性:以(1+1)进化算法为例,从进化成功率方面验证了内部罚函数候选解筛选规则的理论有效性;通过13个测试问题的数值实验,从进化成功率、候选解后代是可行解的比例、进化步长和收敛速度方面验证了内部罚函数候选解筛选规则的实验有效性.
- 崔承刚杨晓飞
- 关键词：约束优化问题进化算法进化策略
- 用于温度日志标签的两级唤醒单元
- 2012年
- 设计实现了一个独特的两级唤醒单元,该唤醒单元用于基于EPC C1G2空中接口协议的射频识别标签。该标签为半有源标签,在该单元支持下实现温度日志功能。设计经过SMIC0.18μm EE工艺流片验证。测试结果表明标签实现温度日志功能,在1.8V电源电压下消耗150nA的静态电流,在同类工作中处于优势地位。
- 常学贵陈伟孟德超车文毅闫娜谈熙闵昊
- 关键词：射频识别标签
- 标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计被引量：1
- 2015年
- 正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°.
- 潘达杉黄金明冯勇闵昊
- 关键词：QVCOPHASECMOS工艺
