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中国博士后科学基金(51411040601DZ0148)

作品数：1 被引量：15H指数：1
相关作者：杜磊庄奕琪李瑞珉包军林更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇诱生
  • 1篇辐照
  • 1篇辐照效应
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇包军林
  • 1篇李瑞珉
  • 1篇庄奕琪
  • 1篇杜磊

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究被引量：15
2007年
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型.
李瑞珉杜磊庄奕琪包军林
关键词：辐照效应
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