国家自然科学基金(50107008)
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
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- 高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展被引量：2
- 2007年
- 综述了国内外半导体沿面闪络的研究现状,阐述了电极结构的类型和影响闪络的主要因素;根据自定义的等值电导参数将闪络的发展划分为欧姆电导、局部闪络和贯通闪络3个阶段;通过对表面细丝电流的热过程进行实验和仿真研究,认为表面细丝电流通道的温度可以接近材料熔点,这一结果同时也支持了表面发热导致气体分子解吸附的假设;进一步通过气体解吸附的实验初步确定了存在外部的闪络通道。
- 赵文彬张冠军严璋
- 关键词：半导体沿面闪络
- 半导体闪络引起的材料表面破坏现象研究被引量：3
- 2008年
- 长期以来,沿半导体表面的闪络现象使得很多高功率半导体器件只能工作在相对较低的电场下,限制了它们的发展,而目前对半导体闪络的物理机理尚不明确.开展了冲击高压下Si及GaAs半导体的表面闪络实验,通过红外摄影观察到闪络过程中半导体表面存在的细丝状电流通道,且发现电极中央区域会出现明显红外辐射集中点.在闪络后的材料表面可以观察到细丝状破坏现象,其中在破坏后的n100型Si材料表面的细丝通道周围发现了凹坑形结构,凹坑中心存在圆锥状突起.结合电极边缘细丝状的破坏现象,讨论了电极边缘的热注入和内部多数载流子的弛豫特性,提出少子引导的注入模型,强调非平衡载流子通道引起的表面电场增强效应可引起外部气体电离形成电离通道.该模型可很好解释观测到的实验现象.
- 赵文彬张冠军严璋
- 关键词：半导体
