安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金(2010A001004D)
- 作品数：5 被引量：21H指数：2
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- 相关机构：华中科技大学电子工程学院更多>>
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- 退火对不同基底上氧化钒薄膜电阻的影响被引量：2
- 2012年
- 采用直流磁控溅射的方法分别在普通玻璃与硅片上制备了氧化钒薄膜,在大气及真空氛围下分别对样品采取了退火处理,测量了退火前后薄膜的电阻,结合样品的XRD图谱进行了分析。结果表明,在普通玻璃和硅片上均得到了V2O5薄膜。经过大气氛围退火处理后,薄膜的结晶度明显增强,硅片上薄膜的电阻明显变小,而玻璃基底上的薄膜电阻变化则不明显。在温度升高的过程中,Si片上薄膜电阻变化范围为56～0.54MΩ。而经过真空退火处理的薄膜其电阻均发生改变,升温过程中,玻璃基底与Si片上薄膜的电阻变化范围分别为52～16MΩ、4.3～0.46MΩ,说明经过退火后硅片上沉积的薄膜具有较好的电学性能。
- 张鹏路远乔亚
- 关键词：直流磁控溅射氧化钒薄膜退火
- 三氧化钨薄膜的红外发射率调制技术被引量：4
- 2011年
- 研究了利用载流子对材料表面的红外发射率进行调制的方法。根据电磁波理论,讨论了物体表面的发射率与折射率的关系,折射率大的物体发射率低。物质的折射率与其中的载流子浓度有关,通过控制载流子的浓度可以对材料的发射率进行调制。以磁控溅射方法在ITO玻璃上制备了氧化钨薄膜。利用电化学方法对三氧化钨薄膜进行了H+离子和电子的注入和抽取,此薄膜中载流子的浓度发生了变化。在着色态,三氧化钨薄膜具有较高的光谱反射率;在褪色态,三氧化钨薄膜具有较低的光谱反射率。结果表明,通过控制材料中载流子的浓度可以对材料的红外发射率进行调制。
- 路远冯万鼎乔亚
- 关键词：红外发射率折射率调制
- 溅射时间对氧化钒薄膜性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜,并对薄膜采取了450℃真空退火处理,分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻,比较了不同溅射时间(120min、100min、60min)对薄膜性能的影响。结果表明,溅射时间增长,薄膜的结晶度也增强,经过退火处理,薄膜的电阻明显减小,且溅射时间越长,薄膜的阻值越小,3块薄膜的电阻分别达到16.0MΩ、65.0MΩ、71.5MΩ,其随温度变化的幅度也越小。
- 张鹏路远乔亚
- 关键词：氧化钒退火电学性能
- 热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响
- 2013年
- 采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜。分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表面形貌,利用四探针法测试了薄膜的电阻。结果表明:热处理前的氧化钒薄膜主要成分为V2O3,经过热氧化处理后,低价的氧化钒被氧化,薄膜中VO2含量增加,薄膜发生金属-半导体相变,其中450℃、2h为最佳处理参数,其电阻相变幅度超过2个数量级,薄膜的相变温度仅为30℃。
- 张鹏路远乔亚
- 关键词：直流磁控溅射氧化钒薄膜热氧化
- 二氧化钒薄膜对红外脉冲功率激光的智能防护分析被引量：14
- 2012年
- VO2是一种固态热致变色材料，它的晶态结构可以在半导体一金属一绝缘体之间可逆转变。介绍了VO2的相变特性，研究了氧化钒的相变机理。根据激光对光电探测器的损伤机理，研究了氧化钒薄膜对红外脉冲功率激光的智能防护。当CO2脉冲激光照射到HgCdTe红外探测器上时，其热传导深度为0．32-3．2um，远小于其吸收深度100μm。依据此对VO2薄膜防护的HgCdTe红外探测器的温升进行了计算和分析。结果表明，当一束激光照射VO2薄膜防护的探测器时，VO2薄膜可以在激光对探测器造成损伤之前完成相变，从而可以保护探测器。VO2薄膜可以用于探测器针对强激光的智能防护、
- 路远凌永顺冯云松张鹏
- 关键词：VO2相变红外激光
