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国家重点基础研究发展计划(2013CB921902)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:钱冬管丹丹刘灿华李耀义贾金锋更多>>
相关机构:上海交通大学南京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇铜箔
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇SRTIO3
  • 1篇BI
  • 1篇ELECTR...
  • 1篇FESE
  • 1篇衬底
  • 1篇IL
  • 1篇BILAYE...
  • 1篇TOPOLO...
  • 1篇AYER

机构

  • 2篇上海交通大学
  • 1篇南京航空航天...

作者

  • 2篇贾金锋
  • 2篇李耀义
  • 2篇刘灿华
  • 2篇管丹丹
  • 2篇钱冬
  • 1篇殷俊
  • 1篇王观勇
  • 1篇郭万林
  • 1篇葛剑峰
  • 1篇刘志龙
  • 1篇姚钢
  • 1篇徐丹

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Topological edge states and electronic structures of a 2D topological insulator: Single-bilayer Bi (111)被引量:1
2013年
Providing the strong spin-orbital interaction,Bismuth is the key element in the family of three-dimensional topological insulators.At the same time,Bismuth itself also has very unusual behavior,existing from the thinnest unit to bulk crystals.Ultrathin Bi(111) bilayers have been theoretically proposed as a two-dimensional topological insulator.The related experimental realization achieved only recently,by growing Bi(111) ultrathin bilayers on topological insulator Bi2Te3 or Bi2Se3 substrates.In this review,we started from the growth mode of Bi(111) bilayers and reviewed our recent progress in the studies of the electronic structures and the one-dimensional topological edge states using scanning tunneling microscopy/spectroscopy(STM/STS),angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES),and first principles calculations.
高春雷钱冬刘灿华贾金锋刘锋
铜箔上生长的六角氮化硼薄膜的扫描隧道显微镜研究
2016年
利用扫描隧道显微镜研究了采用化学气相沉积法在铜箔表面生长出的高质量的六角氮化硼薄膜.大范围的扫描隧道显微镜图像显示出该薄膜具有原子级平整的表面,而扫描隧道谱则显示,扫描隧道显微镜图像反映出的是该薄膜样品的隧穿势垒空间分布.极低偏压的扫描隧道显微镜图像呈现了氮化硼薄膜表面的六角蜂窝周期性原子排列,而高偏压的扫描隧道显微镜图像则呈现出无序和有序排列区域共存的电子调制图案.该调制图案并非源于氮化硼薄膜和铜箔衬底的面内晶格失配,而极有可能来源于两者界面处的氢、硼和/或氮原子在铜箔表面的吸附所导致的隧穿势垒的局域空间分布.
徐丹殷俊孙昊桦王观勇钱冬管丹丹李耀义郭万林刘灿华贾金锋
关键词:氮化硼扫描隧道显微镜
SrTiO3(001)衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长被引量:1
2016年
近几年,由于用分子束外延法在SrTiO_3衬底表面制备的单层FeSe具有很高的超导转变温度而引发了极大的研究热潮,随之而来的是对多层FeSe薄膜日益增长的研究兴趣.但目前还没有对成功生长高质量多层FeSe薄膜的详细报道.本文利用高能电子衍射仪(RHEED)实时监控在不同生长条件下制备的多层FeSe薄膜,发现在FeSe薄膜的生长初期,RHEED图像的强度演化基本符合台阶密度模型的描述特征,即台阶密度ρ正相关于衍射条纹强度.FeSe(02)衍射条纹的强度在第一生长周期内呈现稳定而明显的峰型振荡,而且不受高能电子掠射角的影响,最适合用来标定FeSe薄膜的厚度.结合扫描隧道显微镜对FeSe薄膜质量的原位观察,确定了制备多层FeSe薄膜的最佳生长条件,为FeSe薄膜的物性研究提供了重要的材料基础.
张马淋葛剑峰段明超姚钢刘志龙管丹丹李耀义钱冬刘灿华贾金锋
关键词:FESE分子束外延
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