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中央高校基本科研业务费专项资金(2012-II-016)

作品数:2 被引量:13H指数:2
相关作者:陈文沈杰周静吴智吕纯更多>>
相关机构:武汉理工大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金武汉市科技计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇微波介质
  • 1篇微波介质陶瓷
  • 1篇温度稳定性
  • 1篇谐振频率
  • 1篇膜厚
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇介质陶瓷
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇PZT
  • 1篇BMT

机构

  • 2篇武汉理工大学

作者

  • 2篇周静
  • 2篇沈杰
  • 2篇陈文
  • 1篇杨文才
  • 1篇石国强
  • 1篇刘韩星
  • 1篇吕纯
  • 1篇吴智

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响被引量:8
2014年
采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明显地增加BMT/PZT复合薄膜的介电损耗;当继续增加PZT薄膜的厚度,介电损耗反而下降直到与BMT薄膜的介电损耗值接近。这是由于PZT的介电常数与介电损耗均明显高于BMT薄膜所致,而异质界面的存在抑制了PZT薄膜中畴壁的运动,使其对复合薄膜介电损耗的影响减弱。研究结果表明,PZT薄膜的引入可以提升BMT薄膜的介电常数而对介电损耗的影响不大。
吕纯吴智周静沈杰陈文
关键词:介电性能
CaTiO_3基微波介质陶瓷的频率温度稳定性被引量:5
2013年
通过对克劳修斯-莫索蒂方程的近似,分析了钙钛矿结构微波介质陶瓷频率温度系数(τf)的主要影响因素,发现改变材料介电响应中离子位移极化和电子位移极化的比例,可调节频率温度系数的正负与大小.通过电子结构计算和容忍因子分析,预测引入(Zn1/3Nb2/3)4+对具有正温度系数的CaTiO3进行B位取代将提高材料电子极化响应比例,调节τf由正变负.采用偏铌酸盐为前驱体,通过固相反应法合成了Ca[(Zn1/3Nb2/3)xTi(1-x)]O3钙钛矿结构陶瓷,并对其进行结构分析和性能测试,实验结果与理论分析一致,获得了具有近零频率温度系数的Ca[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]O3介质陶瓷材料.
沈杰周静石国强杨文才刘韩星陈文
共1页<1>
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