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国家自然科学基金(9030100290201025)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：高海永薛成山庄惠照董志华更多>>
相关机构：山东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇挥发
  • 1篇溅射
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基GAN
  • 1篇氨化
  • 1篇ZNO
  • 1篇GA
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇山东师范大学

作者

  • 1篇董志华
  • 1篇庄惠照
  • 1篇薛成山
  • 1篇高海永

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)被引量：2
2005年
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。
庄惠照高海永薛成山董志华
关键词：氨化挥发射频磁控溅射
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