国家自然科学基金(50402008)
- 作品数：5 被引量：20H指数：2
- 相关作者：徐军赵广军庞辉勇介明印何晓明更多>>
- 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- 显微成像荧光屏用无机闪烁单晶薄膜的研究进展被引量：1
- 2005年
- 随着第三代同步辐射源的出现,由荧光屏和CCD耦合组成的、具有亚微米级空间分 辨率、快速在线成像功能的探测器在医疗、安检、工业、科研等领域将会得到广泛应用.本文主 要综述了成像荧光屏用材料的概况和发展趋势,重点阐述了闪烁单晶薄膜的研究及发展情况.
- 庞辉勇赵广军介明印曾雄辉夏长泰周圣明徐军
- 关键词：荧光屏液相外延
- γ-辐照对纯Y_2SiO_5和Eu^(3+)∶Y_2SiO_5晶体光谱性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。
- 庞辉勇赵广军介明印朱江何晓明徐军
- 关键词：光学材料晶体吸收光谱辐照色心
- 硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究被引量：2
- 2005年
- 本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品。经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200～300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200～500nm 波段透过率显著降低。
- 庞辉勇赵广军介明印朱江何晓明徐军
- 关键词：辐照光谱
- 大尺寸Ce:Lu_(1.6)Y_(0.4)SiO_5闪烁晶体的生长和光谱特性被引量：13
- 2005年
- 采用中频感应提拉法生长出尺寸为φ60mm×110mm的Ce:Lu1.6Y0.4SiO5(LYSO)晶体,与LSO晶体相比,LYSO晶体的优势是提高了晶体质量、降低了熔点和原料成本等.在室温下测试了LYSO晶体的透过光谱、激发光谱和发射光谱,结果表明Y的加入使LSO晶体的吸收边向短波方向偏移. Ce3+的4f1→5d1跃迁吸收导致紫外区产生三个吸收带.发射光谱具有Ce3+典型的双峰特征,经Gaussian多峰值拟合,双峰395nm和418nm归属于Cel发光中心,而435nm的发光峰与Ce2发光中心有关.
- 严成锋赵广军张连翰徐军
- 关键词：LYSO闪烁晶体提拉法光学特性
- 不同掺杂浓度Ce:YAP闪烁晶体的性能研究被引量：3
- 2007年
- Ce:YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是衰减时间短,光产额大,在高能射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景。考虑到Ce3+离子浓度可能对晶体性能的影响,用中频感应加热提拉法生长了系列掺杂浓度为0.05%～0.6%的Ce:YAP闪烁晶体,晶体尺寸为Ф50mm×80mm。室温下测试了不同浓度Ce:YAP晶体的透过、荧光、X射线激发发射、X射线激发衰减等特征,分析了Ce3+离子浓度对Ce:YAP晶体的透过、荧光及闪烁性能的影响。结果表明:随着Ce3+离子浓度增加,Ce:YAP晶体的吸收边发生红移,造成了样品的自吸收,从而影响到Ce:YAP晶体的光输出;且随Ce3+离子浓度增加,Ce:YAP晶体的衰减时间减少。
- 曹顿华赵广军宗艳花徐军
- 关键词：CE:YAP提拉法闪烁体稀土
