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国家自然科学基金(50832006)

作品数:5 被引量:11H指数:2
相关作者:杨德仁马向阳徐进汤会香董鹏更多>>
相关机构:浙江大学厦门大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程理学电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇电池
  • 1篇电镜
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇氧化锌
  • 1篇英文
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇直拉硅
  • 1篇射电
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透射电镜
  • 1篇气敏
  • 1篇外部量子效率
  • 1篇维氏硬度
  • 1篇位错

机构

  • 4篇浙江大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 3篇杨德仁
  • 2篇马向阳
  • 1篇陈加和
  • 1篇高超
  • 1篇赵建江
  • 1篇余学功
  • 1篇汤会香
  • 1篇李晓强
  • 1篇阙端麟
  • 1篇董鹏
  • 1篇徐进
  • 1篇曾徵丹

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇Journa...
  • 1篇Transa...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Photoluminescence from Silicon Nanocrystals in Encapsulating Materials
2013年
Naturally oxidized freestanding silicon nanocrystals(Si NCs) are incorporated in commonly used encapsulating materials to explore the photoluminescent application of Si NCs in device structures such as solid-state lighting light-emitting diodes(LEDs) and solar cells.The quantum yield of Si NCs before the incorporation has reached about 45%at the excitation wavelength of 370 nm without any special surface modification.It is found that medium loadings,e.g.,5 wt%of Si NCs in encapsulating materials help to obtain high external quantum efficiency(EQE) of the mixtures of Si NCs and encapsulating materials.The curing of encapsulating materials significantly reduces EQE.Among all the encapsulating materials investigated in this work,siliconeOE6551 enables the highest EQE(21%at excitation wavelengthλ_(ex) = 370 nm) after curing.Based on current findings,we have discussed the continuous efforts to advance the photoluminescent application of Si NCs.
Z.DengX.D.PiJ.J.ZhaoD.Yang
关键词:硅纳米晶封装材料光致外部量子效率激发波长
单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移被引量:4
2013年
研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明:在快速热处理时,位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移;当快速热处理温度高于1100℃时,在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离.我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错,增加了位错的临界滑移应力,从而在相当程度上抑制了位错的滑移.可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度.
徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳杨德仁
关键词:位错滑移机械性能单晶硅
CdS纳米颗粒掺杂对ZnO气敏性能的影响被引量:5
2009年
采用溶胶-凝胶法制备了CdS-ZnO复合纳米颗粒,通过把纳米颗粒旋涂在叉枝Au电极上,制得传感器元件来研究CdS纳米颗粒掺杂对ZnO气敏性能的影响.利用X射线衍射研究了CdS-ZnO纳米颗粒的相结构,研究表明当CdS含量为1%与3%时,ZnO纳米颗粒的结晶度相对较好.透射电镜研究表明:CdS掺杂后,ZnO颗粒仍处在纳米尺度范围,大小约为10 nm,同时小的纳米颗粒容易团聚在一起,形成大小约为200 nm的纳米球.通过对CdS-ZnO纳米颗粒传感器气敏性能的系统研究,发现当CdS纳米颗粒的含量为3%时,传感器在室温下对NH3气体的灵敏度和选择性较好,且重复性较好.最后初步讨论了CdS掺杂的ZnO气体传感器与NH3气体相互作用的气敏机理.
徐进汤会香
关键词:氧化锌传感器透射电镜
氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响被引量:2
2009年
研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响。研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高。
曾徵丹马向阳陈加和杨德仁
关键词:单晶硅氧沉淀维氏硬度
铜杂质在太阳电池用多晶硅中的沉淀及吸杂行为(英文)被引量:1
2011年
采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究。发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密切相关,在低缺陷密度区域铜杂质大多易于均质形核形成沉淀,而在高缺陷密度区域铜杂质通常会聚集在缺陷处异质形核而沉淀下来。当铜沾污量较高时,由于在硅基体中的肖特基二极管效应,铜沉淀会令多晶硅中的载流子寿命明显缩短。在900℃下进行快速磷吸杂处理后,这两种区域中的铜杂质都不能得到有效去除。
李晓强杨德仁余学功阙端麟
关键词:多晶硅载流子寿命
共1页<1>
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