用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .
1.3-μm emitting InGaAs/GaAs and InGaAsN/GaAs quantum dots (QDs) and quantum wells (QWs) nanometer structures h...
Niu Zhi-chuan, Ni Haiqiao, Fang Zhidan, Gong Zheng, Miao Zhen-hua, Xu Xiaohua, and Feng Song-lin Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
