国家自然科学基金(60176023)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
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- 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量：4
- 2006年
- 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1·66μm和1·74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1·74μm激光器的特征温度T0=57K,和1·55μmInGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
- 潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩
- 关键词：MOCVDINGAAS/INGAASP应变量子阱分布反馈激光器
- 在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导(英文)被引量：1
- 2006年
- 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.
- 杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩
- 关键词：共面波导高阻硅高频光电子封装
- 1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器(英文)被引量：1
- 2005年
- 制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.
- 潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰
- 关键词：分布反馈激光器压应变
