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安徽省高等学校优秀青年人才基金(2013SQRLl48ZD)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关机构：芜湖职业技术学院安徽大学更多>>
发文基金：安徽省高等学校优秀青年人才基金安徽省高等学校省级质量工程项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电势
  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值电流
  • 1篇热电子
  • 1篇阈值电流
  • 1篇沟道
  • 1篇MOSFET
  • 1篇超短

机构

  • 1篇安徽大学
  • 1篇芜湖职业技术...

作者

  • 1篇陶玉贵
  • 1篇李长波
  • 1篇钱峰
  • 1篇韩名君

传媒

  • 1篇宿州学院学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型
2014年
随着器件工艺的更新,亚阈值电流对MOSFET的亚阈值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二维电势模型,计算量小但是误差大。基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下,热电子发射电流已经无法忽略,因而考虑了热电子发射电流并联的影响,最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比,验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阈值区的电流。
韩名君李长波钱峰陶玉贵
关键词：MOSFET亚阈值电流
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