国家自然科学基金(51275263)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 铜表面划痕过程声发射特性被引量：4
- 2014年
- 以半导体互连材料铜为对象,研究铜表面划痕过程声发射特征,探索划痕载荷及速度对划痕过程声发射特征影响及铜表面划痕损伤机制,为基于声发射技术表征铜表面微纳尺度材料去除过程提供理论依据。研究发现,铜划痕过程主要以塑性变形为主,呈现周期变化形貌,并产生连续型声发射信号;随划痕速度的增加,信号强度增加,而载荷变化对信号影响较小;信号强度与变形体积增加速率呈指数关系。声发射信号能较好表征划痕过程。
- 余前程何永勇
- 关键词：划痕声发射铜塑性变形
- 钽表面划痕过程声发射特性被引量：2
- 2017年
- 以集成电路阻挡层材料钽为对象,研究其表面划痕过程中的声发射特性,初步探索材料去除机制,分析划痕参数对声发射特性的影响,为采用声发射技术监测材料去除过程提供依据。结果显示:在划痕过程中,钽交替经历犁沟和塑性流动,形成深浅起伏的沟槽,并产生连续型声发射信号;随着划痕速度增加,信号强度增高,包络波动更剧烈,冲击性更强,而中位频率先升高、后稳定甚至降低;随着划痕载荷增加,信号增强,冲击性呈正相关变化。钽的表面划痕过程可以用声发射表征。
- 冯超何永勇
- 关键词：钽划痕声发射
- 化学机械抛光参数对声发射特征的影响
- 2017年
- 化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的主要手段,分析CMP过程的声发射特征对探究CMP机理、监测CMP过程具有重大意义。以半导体互连材料铜为对象,分析铜CMP过程的声发射特征,探索CMP过程产生声发射(AE)信号的机制。研究发现:随着抛光压力和抛光垫转速的增加,AE信号强度增大;CMP过程通入的液体成分对AE信号有较明显的影响;AE信号的能量主要分布在两个频段,其中高频成分能够表征CMP过程的划痕。
- 冯超余前程何永勇
- 关键词：化学机械抛光声发射铜划痕
