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基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究: 2014年; 首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。; 蔡利康彭劲松高建峰

基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的相移掩膜光刻技术研究被引量：1: 2014年; 首次在国内开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的0.13μm相移掩膜光刻工艺研究。通过与传统的二进制掩膜技术比较,分析讨论了相移掩膜技术提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌的原理。通过光刻仿真软件模拟相移掩膜和二进制掩膜工艺,结果表明相移掩膜工艺对应的光学成像质量明显优于二进制掩膜工艺。进一步的实验表明,相移掩膜的曝光范围要高于二进制掩膜,同时相移掩膜工艺的线宽均匀性以及光刻剖面形貌也是要优于二进制掩膜。通过以上的研究,表明相移掩膜技术可以提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌。; 蔡利康彭劲松高建峰; 关键词：焦深

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江苏省自然科学基金(BK201101)